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SI7423DN-T1-E3 /Single P-Channel 30 V 18 mOhms Surface Mount Power Mosfet - PowerPAK 1212-8
SI7423DN-T1-E3的规格信息
SI7423DN-T1-E3的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

系列：TrenchFET®

FET类型：P 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

电流-连续漏极（Id）（25°C时）：7.4A（Ta）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V

不同Id时的Vgs（th）（最大值）：3V @ 250µA

不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：56nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

功率耗散（最大值）：1.5W（Ta）

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：18 毫欧 @ 11.7A，10V

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

封装/外壳：PowerPAK® 1212-8

封装形式Package：PowerPak1212-8

极性Polarity：P-CH

漏源极击穿电压VDSS：30V

连续漏极电流ID：7.4A

漏源极导通电阻RDS(ON)：18mOhms

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs

供应商SI7423DN-T1-E3
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深圳市芯幂科技有限公司SI7423DN-T1-E3深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
深圳市坤融电子有限公司SI7423DN-T1-E3航都大厦10I0755-23990975
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13113670037		唐先生Email:chenglong@xzxic.com询价
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13480875861		雷小姐，微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话Email:2053086415@qq.com询价
深圳市科思奇电子科技有限公司SI7423DN-T1-E3上步工业区501栋1109-11100755-83245050
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13826514222		余先生，张先生Email:grady4222@126.com询价
深圳市毅创腾电子科技有限公司SI7423DN-T1-E3深圳市福田区华强北路现代之窗大厦B座18I室0755-83616256 / 83210909
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深圳市瑞浩芯科技有限公司SI7423DN-T1-E3深圳市福田区上步工业区501栋11030755-84875764
”13725596657“17503034873		曾先生Email:1153689911@qq.com询价
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18207603663,18718561290		吴小姐，曹先生Email:320966349@qq.com询价
万三科技（深圳）有限公司SI7423DN-T1-E3深圳市龙华区民治街道新牛社区金地梅陇镇9栋4单元14C0755-23763516，18818598465
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深圳市惊羽科技有限公司SI7423DN-T1-E3深圳市福田区深南中路3037号南光捷佳大厦2031室实-单-专-线----135-7521-2775
135-7521-2775-------Q-微-恭-候-----有-问-秒-回		彭小姐Email:1138536269@qq.com询价
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SI7423DN-T1-E3MOSFET 30V 11.7A 3.8W 18mohm @ 10VVishay / SiliconixVishay / Siliconix的LOGO529.60 Kbytes共12页SI7423DN-T1-E3的PDF下载地址无
SI7423DN-T1-E3MOSFET P-CH 30V 7.4A 1212-8Vishay SiliconixVishay Siliconix的LOGO526.61 Kbytes共12页SI7423DN-T1-E3的PDF下载地址无
SI7423DN-T1-E3连续漏极电流（Id）（25°C 时）：7.4A 漏源电压（Vdss）：-30V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：18mΩ @ 11.7A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.5W 类型：P沟道VISHAY(威世)VISHAY(威世)的LOGO528.30 Kbytes共12页SI7423DN-T1-E3的PDF下载地址无
SI7423DN-T1-E3的全球分销商及价格
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Arrow(艾睿)		SI7423DN-T1-E3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 30V 11.7A 3.8W 18mohm @ 10V3000+:￥4.6899
6000+:￥4.45
15000+:￥4.28
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100+:￥5.73
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元器件资料网-ChipOneStop的LOGO
ChipOneStop		SI7423DN-T1-E3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 30V 11.7A 3.8W 18mohm @ 10V3000+:￥4.6899
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100+:￥5.793000+:￥6.24
元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子		SI7423DN-T1-E3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 30V 11.7A 3.8W 18mohm @ 10V3000+:￥4.6899
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元器件资料网-element14 e络盟电子的LOGO
element14 e络盟电子		SI7423DN-T1-E3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 30V 11.7A 3.8W 18mohm @ 10V3000+:￥4.6899
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元器件资料网-Future(富昌)的LOGO
Future(富昌)		SI7423DN-T1-E3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 30V 11.7A 3.8W 18mohm @ 10V3000+:￥4.6899
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Mouser 贸泽电子		SI7423DN-T1-E3Vishay / SiliconixMOSFET 30V 11.7A 3.8W 18mohm @ 10V1:¥12.2944
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立创商城		SI7423DN-T1-E3VISHAY(威世)连续漏极电流（Id）（25°C 时）：7.4A 漏源电压（Vdss）：-30V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：18mΩ @ 11.7A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.5W 类型：P沟道1+:￥17.64
10+:￥15.14
30+:￥14.69
100+:￥14.23
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1000+:￥13.77
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