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SI7440DP-T1 / MOSFET 30V 21A 5.4W
SI7440DP-T1的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Vishay

产品种类:MOSFET

RoHS:

商标:Vishay / Siliconix

Id-连续漏极电流:12 A

Vds-漏源极击穿电压:30 V

Rds On-漏源导通电阻:6.5 mOhms

晶体管极性:N-Channel

Vgs-栅源极击穿电压 :20 V

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:1.9 W

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SO-8

封装:Reel

通道模式:Enhancement

配置:Single

下降时间:16 ns

最小工作温度:- 55 C

上升时间:16 ns

系列:SI74xxDx

工厂包装数量:3000

商标名:TrenchFET

典型关闭延迟时间:75 ns

典型接通延迟时间:18 ns

单位重量:85 mg

供应商SI7440DP-T1
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现代芯城(深圳)科技有限公司SI7440DP-T1www.nowchip.com0755-27381274
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深圳市芯幂科技有限公司SI7440DP-T1-E3深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
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SI7440DP-T1N-Channel 30-V (D-S) Fast Switching MOSFET VISHAY[Vishay Siliconix]VISHAY[Vishay Siliconix]的LOGO41.89 Kbytes共4页SI7440DP-T1的PDF下载地址SI7804DN,SI7840BDP,SI7806BDN,SI4300DY,SI7806DN,SI7840DP,SI7114DN,SI7404DN
SI7440DP-T1-E3MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SO-8Vishay SiliconixVishay Siliconix的LOGO83.11 Kbytes共5页SI7440DP-T1-E3的PDF下载地址
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