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SI7434DP-T1-E3 /Si7434DP Series N-Channel 250 V 0.174 Ohms SMT Power Mosfet - PowerPAK SO-8
SI7434DP-T1-E3的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

系列:TrenchFET®

FET类型:N 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

电流-连续漏极(Id)(25°C时):2.3A(Ta)

驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):6V,10V

不同Id时的Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA

不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值):50nC @ 10V

Vgs(最大值):±20V

功率耗散(最大值):1.9W(Ta)

不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值):155 毫欧 @ 3.8A,10V

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装

封装/外壳:PowerPAK® SO-8

封装形式Package:SOIC-8

极性Polarity:N-CH

漏源极击穿电压VDSS:250V

连续漏极电流ID:2.3A

漏源极导通电阻RDS(ON):155mOhms

无铅情况/RoHs:无铅/符合RoHs

供应商SI7434DP-T1-E3
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深圳市坤融电子有限公司SI7434DP-T1-E3航都大厦10I0755-23990975
17318082080,13510287235
肖瑶,树平Email:hzk@krchips.com询价
深圳市芯幂科技有限公司SI7434DP-T1-E3深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
深圳市天卓伟业电子有限公司SI7434DP-T1-E3深圳市福田区华强北路1019号A座13楼0755-82573552
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陈敏Email:3004201508@qq.com询价
深圳市星宇佳科技有限公司SI7434DP-T1-E3深圳市福田区华强北街道华航社区华富路1004号南光大厦5100755-82717977-603
13332931905
谢先生Email:2851989182@qq.com询价
深圳市斌腾达科技有限公司SI7434DP-T1-E3深圳市福田区华强北上步工业区501栋5180755-82815082
13049883113
赵小姐Email:zhujunbin163@163.com询价
集好芯城SI7434DP-T1-E3深圳市福田区航都大厦25F4008626627
13360071553
陈泽辉Email:sam@678ic.com询价
集好芯城SI7434DP-T1-E3深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-23903180
13360063783
杨先生Email:sam@678ic.com询价
深圳市辉华拓展电子有限公司SI7434DP-T1-E3深圳市福田区汉国中心55楼0755-82790891
18126117392
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深圳市高捷芯城科技有限公司SI7434DP-T1-E3深圳市福田区航都大厦10B13352985419
13352985419
木易Email:2881915365@qq.com询价
深圳诚思涵科技有限公司Si7434DP-T1-E3深圳市福田区华强北路上步工业区101栋518室0755-23947236/83015506
15302723671/15820783671
曾小姐Email:2748708193@qq.com询价
芯莱德电子(香港)有限公司SI7434DP-T1-E3深圳市福田区航都大厦10L13352985419
13352985419,19076157484
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深圳市赛美科科技有限公司SI7434DP-T1-E3广东省深圳市福田区华强北上步工业区101栋5楼A5950755-28309323
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深圳市宇浩扬科技有限公司SI7434DP-T1-E3深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
13826514222
余先生,张先生Email:grady4222@126.com询价
深圳市毅创腾电子科技有限公司SI7434DP-T1-E3深圳市福田区华强北路现代之窗大厦B座18I室0755-83616256 / 83210909
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上海三崧电子有限公司SI7434DP-T1-E3上海市嘉定区曹安路4671号协通科技大厦7层13818988389
17621743344
樊勉Email:420014373@qq.com询价
深圳市宸远科技有限公司SI7434DP-T1-E3深圳市福田区华强北街道中航北苑B座9B40755-23481624
19068068798,15338712396
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深圳市瑞浩芯科技有限公司SI7434DP-T1-E3深圳市福田区上步工业区501栋11030755-84875764
”13725596657“17503034873
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深圳市华芯盛世科技有限公司SI7434DP-T1-E3深圳市福田区上步工业区201栋530室0755-23941632
13723794312
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万三科技(深圳)有限公司SI7434DP-T1-E3深圳市龙华区民治街道新牛社区金地梅陇镇9栋4单元14C0755-23763516,18818598465
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深圳市惊羽科技有限公司Si7434DP-T1-E3深圳市福田区深南中路3037号南光捷佳大厦2031室实-单-专-线----135-7521-2775
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SI7434DP-T1-E3N-CHANNEL 250-V (D-S) MOSFET VISHAY[Vishay Siliconix]VISHAY[Vishay Siliconix]的LOGO77.17 Kbytes共5页SI7434DP-T1-E3的PDF下载地址SI4434DY,SI7802DN,SUD17N25-165,SUM45N25-58,SUM18N25-165,SUP75N06-08,SI4404DY,SI4490DY,SUP75N03-04,SUD25N06-45L
SI7434DP-T1-E3的全球分销商及价格
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Arrow(艾睿)
SI7434DP-T1-E3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 250V 3.8A 5.2W 155mohm @ 10V3000+:¥8.23
6000+:¥7.92
15000+:¥7.62
30000+:¥7.5001
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Avnet Express
SI7434DP-T1-E3Vishay Semiconductors- Tape and Reel3,000 : $2.2122
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Avnet Express
SI7434DP-T1-E3Vishay SiliconixTRANS MOSFET N-CH 250V 2.3A 8PIN PWRPAK SO - Tape and Reel3,000 : $1.3602
14,999 : $1.3207
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SI7434DP-T1-E3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 250V 3.8A 5.2W 155mohm @ 10V3000+:¥8.23
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Digi-Key 得捷电子
SI7434DP-T1-E3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 250V 2.3A PPAK SO-86,000 : $1.0894
3,000 : $1.1313
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Digi-Key 得捷电子
SI7434DP-T1-E3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 250V 3.8A 5.2W 155mohm @ 10V3000+:¥8.23
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Digi-Key 得捷电子
SI7434DP-T1-E3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 250V 2.3A PPAK SO-8$1.46655
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Future Electronics
SI7434DP-T1-E3Vishay IntertechnologiesSi7434DP Series N-Channel 250 V 0.174 Ohms SMT Power Mosfet - PowerPAK SO-8
RoHS : Compliant
3,000 : $1.2444
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Future(富昌)
SI7434DP-T1-E3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 250V 3.8A 5.2W 155mohm @ 10V3000+:¥8.23
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Mouser 贸泽电子
SI7434DP-T1-E3Vishay / SiliconixMOSFET 250V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-81:¥22.8938
10:¥18.984
100:¥15.6731
250:¥15.142
500:¥13.6052
3,000:¥13.6052
元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子
SI7434DP-T1-E3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 250V 3.8A 5.2W 155mohm @ 10V3000+:¥8.23
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Newark element14
SI7434DP-T1-E3Vishay SiliconixN CHANNEL MOSFET, 250V, 3.8A, SOIC; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:3.8A; Drain Source Voltage Vds:250V; On Resistance Rds(on):162mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:20V; Threshold Voltage Vgs:4V; No. of Pins:8 ;RoHS Compliant: Yes12,000 : $1.17
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立创商城
SI7434DP-T1-E3VISHAY(威世)连续漏极电流(Id)(25°C 时):2.3A 漏源电压(Vdss):250V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:155mΩ @ 3.8A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.9W 类型:N沟道1+:¥22.6
10+:¥22.02
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100+:¥17