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SI7454DP-T1-GE3 /Si7454DP Series N-Channel 100 V 33 mOhm SMT Power Mosfet - PowerPAK-SO-8
SI7454DP-T1-GE3的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

系列:TrenchFET®

FET类型:N 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

电流-连续漏极(Id)(25°C时):5A(Ta)

驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):6V,10V

不同Id时的Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA

不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值):30nC @ 10V

Vgs(最大值):±20V

功率耗散(最大值):1.9W(Ta)

不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值):34 毫欧 @ 7.8A,10V

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装

封装/外壳:PowerPAK® SO-8

封装形式Package:SOIC-8

极性Polarity:N-CH

漏源极击穿电压VDSS:100V

连续漏极电流ID:5A

漏源极导通电阻RDS(ON):34mOhms

无铅情况/RoHs:无铅/符合RoHs

供应商SI7454DP-T1-GE3
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现代芯城(深圳)科技有限公司SI7454DP-T1-GE3www.nowchip.com0755-27381274
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董先生Email:arthur@nowchip.com询价
深圳市坤融电子有限公司SI7454DP-T1-GE3航都大厦10I0755-23990975
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肖瑶,树平Email:hzk@krchips.com询价
深圳市芯幂科技有限公司SI7454DP-T1-GE3深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
深圳市星宇佳科技有限公司SI7454DP-T1-GE3深圳市福田区华强北南光大厦5100755-82522195
13332931905
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集好芯城SI7454DP-T1-GE3深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-23903180
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深圳市辉华拓展电子有限公司SI7454DP-T1-GE3深圳市福田区汉国中心55楼0755-82790891
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深圳市芯泽盛世科技有限公司SI7454DP-T1-GE3龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋18220755-89697985
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深圳诚思涵科技有限公司Si7454DP-T1-GE3深圳市福田区华强北路上步工业区101栋518室0755-23947236/83015506
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深圳市浩睿泽电子科技有限公司SI7454DP-T1-GE3深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋2003F1919854773352
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深圳市宇浩扬科技有限公司SI7454DP-T1-GE3深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
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深圳市毅创腾电子科技有限公司SI7454DP-T1-GE3深圳市福田区华强北路现代之窗大厦B座18I室0755-83616256 / 83210909
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上海三崧电子有限公司SI7454DP-T1-GE3上海市嘉定区曹安路4671号协通科技大厦7层13818988389
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樊勉Email:420014373@qq.com询价
深圳市瑞浩芯科技有限公司SI7454DP-T1-GE3深圳市福田区上步工业区501栋11030755-84875764
”13725596657“17503034873
曾先生Email:1153689911@qq.com询价
深圳市微碧半导体有限公司SI7454DP-T1-GE3-VB深圳市福田区华强北街道荔村社区振兴路120号赛 格科技园4栋东5层5020755-83204141
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深圳市惊羽科技有限公司SI7454DP-T1-GE3深圳市福田区深南中路3037号南光捷佳大厦2031室实-单-专-线----135-7521-2775
135-7521-2775-------Q-微-恭-候-----有-问-秒-回
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深圳市金华微盛电子有限公司SI7454DP-T1-GE3深圳市福田区中航路新亚洲2期N4A13113510157626
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SI7454DP-T1-GE3N-Channel 100-V (D-S) MOSFET VISHAY[Vishay Siliconix]VISHAY[Vishay Siliconix]的LOGO166.85 Kbytes共7页SI7454DP-T1-GE3的PDF下载地址
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SI7454DP-T1-GE3Vishay半导体 MOSFET 100V 7.8A 4.8W 34mohm @ 10V FET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品3000+:¥7.471+:¥13.67
10+:¥11.02
100+:¥8.78
500+:¥8.78
1000+:¥8.1801
3000+:¥7.51
6000+:¥7.44
9000+:¥7.15
24000+:¥7.111+:¥6.29
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SI7454DP-T1-GE3Vishay SiliconixN-CHANNEL 100V (D-S) MOSFET - Tape and Reel3,000 : $0.857
14,999 : $0.8363
29,999 : $0.8266
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Digi-Key 得捷电子
SI7454DP-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 100V 5A PPAK SO-8$1.14000
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Digi-Key 得捷电子
SI7454DP-T1-GE3Vishay半导体 MOSFET 100V 7.8A 4.8W 34mohm @ 10V FET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品3000+:¥7.47
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Digi-Key 得捷电子
SI7454DP-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 100V 5A PPAK SO-83,000 : $1.026
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element14 Asia-Pacific
SI7454DP-T1-GE3Vishay SiliconixN CHANNEL MOSFET, 100V, 7.8A, SOIC, FULL REEL6,000 : $37.639999
12,000 : $36.470001
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Future Electronics
SI7454DP-T1-GE3Vishay IntertechnologiesSi7454DP Series N-Channel 100 V 33 mOhm SMT Power Mosfet - PowerPAK-SO-8
RoHS : Compliant
3,000 : $0.5278
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Mouser 贸泽电子
SI7454DP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-81:¥18.1365
10:¥15.0629
100:¥11.6842
500:¥10.2152
1,000:¥8.4524
3,000:¥8.4524
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Mouser 贸泽电子
SI7454DP-T1-GE3Vishay半导体 MOSFET 100V 7.8A 4.8W 34mohm @ 10V FET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品3000+:¥7.471+:¥13.67
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Newark element14
SI7454DP-T1-GE3Vishay SiliconixN CHANNEL MOSFET, 100V, 7.8A, SOIC, FULL REEL; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:7.8A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):40mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:20V; Threshold Voltage Vgs:4V ;RoHS Compliant: Yes12,000 : $0.943