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SI7423DN-T1-GE3 /Vishay Siliconix/分立半导体产品
SI7423DN-T1-GE3的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

标准包装:3,000

类别:分立半导体产品

家庭:FET - 单

系列:TrenchFET®

包装:带卷(TR)

FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物

FET 功能:逻辑电平门

漏源极电压(Vdss):30V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):7.4A(Ta)

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):18 毫欧 @ 11.7A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):56nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss):-

功率 - 最大值:1.5W

安装类型:表面贴装

封装/外壳:PowerPAK® 1212-8

供应商器件封装:PowerPAK® 1212-8

供应商SI7423DN-T1-GE3
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100+:¥5.73
500+:¥5.07
1000+:¥4.95
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