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SI7107DN-T1-E3/BKN /P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
SI7107DN-T1-E3/BKN的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

Channel TypeP

ConfigurationQuad Drain, Triple Source

Dimensions3.15 x 3.15 x 1.07 mm

Drain Current-7.8 A

Drain to Source On Resistance0.02 Ω

Drain to Source Voltage-20 V

Fall Time240 ns

Forward Transconductance58 S

Forward Voltage, Diode-1.2 V

Gate to Source Voltage±8 V

Height0.042" (1.07mm)

Junction to Ambient Thermal Resistance33 °C/W

Length0.124" (3.15mm)

Maximum Operating Temperature+150 °C

Minimum Operating Temperature-55 °C

Mounting TypeSurface Mount

Number of Elements per Chip1

Number of Pins8

Operating and Storage Temperature–55 to +150 C

Package TypePowerPAK 1212-8

PolarizationP-Channel

Power Dissipation1.5 W

Resistance, Thermal, Junction to Case2.4 °C/W

SeriesSI71 Series

Temperature Operating Range-55 to +150 °C

Total Gate Charge44 nC

Turn Off Delay Time400 ns

Turn On Delay Time40 ns

Typical Gate Charge @ Vgs34 nC @ -10 V

Voltage, Breakdown, Drain to Source-20 V

Width0.124" (3.15mm)

供应商SI7107DN-T1-E3/BKN
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