单位包：3000

最小起订量：3000

FET特点：Logic Level Gate

封装：Tape & Reel (TR)

安装类型：Surface Mount

电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C：16.9A (Ta), 35A (Tc)

的Vgs（th ） （最大）@ Id：2.5V @ 250µA

漏极至源极电压（Vdss）：30V

标准包装：3,000

供应商设备封装：PowerPAK® 1212-8

开态Rds（最大）@ Id ，V GS：7.2 mOhm @ 15A, 10V

FET型：MOSFET P-Channel, Metal Oxide

功率 - 最大：3.7W

封装/外壳：PowerPAK® 1212-8

输入电容（Ciss ） @ VDS：3595pF @ 15V

其他名称：SI7101DN-T1-GE3TR

闸电荷（Qg ） @ VGS：102nC @ 10V

RoHS指令：Lead free / RoHS Compliant

晶体管极性：P-Channel

连续漏极电流：- 35 A

下降时间：8 ns

安装风格：SMD/SMT

产品种类：MOSFET

商品名：TrenchFET Power MOSFET

配置：Dual Dual Drain

最高工作温度：+ 150 C

正向跨导 - 闵：44 S

RoHS：RoHS Compliant

典型关闭延迟时间：38 ns

源极击穿电压：25 V

系列：SI7101DN

RDS（ON）：7.2 mOhms

功率耗散：52 W

最低工作温度：- 55 C

上升时间：10 ns

漏源击穿电压：- 30 V

栅极电荷Qg：43 nC

Continuous Drain Current Id：:-35A

Drain Source Voltage Vds：:-30V

On Resistance Rds(on)：:0.0058ohm

Rds(on) Test Voltage Vgs：:-10V

Threshold Voltage Vgs：:-1.2V

功耗：:52W

Operating Temperature Min：:-55°C

Operating Temperature Max：:150°C

Transistor Case Style：:PowerPAK 1212

No. of Pins：:8

MSL：:MSL 1 - Unlimited

Weight (kg)：0.002

Tariff No.：85412900