标准包装：3,000

类别：分立半导体产品

家庭：FET - 阵列

系列：-

包装：带卷（TR）

FET 类型：2 N 沟道（双）共漏

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压（Vdss）：28V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：4.1A

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：33 毫欧 @ 4.6A，4.5V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：1.5V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：10nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：-

功率 - 最大值：1W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）

供应商器件封装：8-TSSOP

其它名称：SI6924AEDQ-T1-GE3TRSI6924AEDQT1GE3