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SI6467DQ / MOSFET TSSOP8 SINGLE PCH
SI6467DQ的规格信息
SI6467DQ的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Fairchild Semiconductor

产品种类:MOSFET

RoHS:是

Id-连续漏极电流:- 9.2 A

Vds-漏源极击穿电压:- 20 V

Rds On-漏源导通电阻:9 mOhms

晶体管极性:P-Channel

Vgs-栅源极击穿电压 :8 V

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:1.3 W

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TSSOP-8

封装:Reel

商标:Fairchild Semiconductor

通道模式:Enhancement

配置:Single Triple Drain Quad Source

下降时间:15 ns

最小工作温度:- 55 C

上升时间:15 ns

系列:SI6467

工厂包装数量:2500

典型关闭延迟时间:210 ns

典型接通延迟时间:15 ns

单位重量:20 mg

供应商SI6467DQ
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柒号芯城电子商务（深圳）有限公司SI6467DQ深圳市福田区华强北路1019号华强广场D座23楼0755-83663056
18922805453，18929374037，18922803401		连Email:seven@7-ic.com询价
深圳市芯幂科技有限公司SI6467DQ深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
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SI6467DQP-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]的LOGO98.13 Kbytes共5页SI6467DQ的PDF下载地址FDW258P,FDC604P,SI3445DV,FDC606P,SI3447DV,FDC6312P,SI4467DY,FDC6318P,FDD306P,FDG326P
SI6467DQP-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET VISHAY[Vishay Siliconix]VISHAY[Vishay Siliconix]的LOGO51.82 Kbytes共4页SI6467DQ的PDF下载地址SI9933BDY,FQB47P06,FDW254P_01,NTMD6P02R2,NTHD5903T1_05,NTR0202PL_06,FDMA1025P,FDS4435_01,FDZ204P_04,ZXMP6A16DN8
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