标准包装：1
类别：分立半导体产品
家庭：FET - 阵列
系列：TrenchFET®
包装：剪切带（CT）
FET 类型：N 和 P 沟道
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）：20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：-
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：30 毫欧 @ 4.5A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：600mV @ 250µA（最小）
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：25nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：-
功率 - 最大值：1W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）
供应商器件封装：8-TSSOP
其它名称：SI6562DQ-T1-GE3CT