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SI6463DQ / MOSFET TSSOP8 SINGLE PCH
SI6463DQ的规格信息
SI6463DQ的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Fairchild Semiconductor

产品种类:MOSFET

RoHS:

Id-连续漏极电流:- 8.8 A

Vds-漏源极击穿电压:- 20 V

Rds On-漏源导通电阻:10 mOhms

晶体管极性:P-Channel

Vgs-栅源极击穿电压 :12 V

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:1.3 W

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TSSOP-8

封装:Reel

商标:Fairchild Semiconductor

通道模式:Enhancement

配置:Singl 79a9 e Triple Drain Quad Source

下降时间:14 ns

最小工作温度:- 55 C

上升时间:14 ns

系列:SI6463

工厂包装数量:2500

典型关闭延迟时间:130 ns

典型接通延迟时间:8 ns

单位重量:20 mg

供应商SI6463DQ
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SI6463DQP-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]的LOGO97.67 Kbytes共5页SI6463DQ的PDF下载地址FDG328P,FDW2504P,USB10H,FDG6306P,FDW2506P,SI3441DV,FDN302P,SI3443DV,FDC602P,FDN308P
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