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SI6467BDQ-T1-E3 /Vishay Siliconix/分立半导体产品
SI6467BDQ-T1-E3的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

标准包装:3,000

类别:分立半导体产品

家庭:FET - 单

系列:TrenchFET®

包装:带卷(TR)

FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物

FET 功能:逻辑电平门

漏源极电压(Vdss):12V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):6.8A(Ta)

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):12.5 毫欧 @ 8A,4.5V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):850mV @ 450µA

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):70nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss):-

功率 - 最大值:1.05W

安装类型:表面贴装

封装/外壳:8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)

供应商器件封装:8-TSSOP

其它名称:SI6467BDQ-T1-E3TRSI6467BDQT1E3

供应商SI6467BDQ-T1-E3
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SI6467BDQ-T1-E3P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET VISHAY[Vishay Siliconix]VISHAY[Vishay Siliconix]的LOGO208.27 Kbytes共11页SI6467BDQ-T1-E3的PDF下载地址
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SI6467BDQ-T1-E3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 12V 8A 1.5W3000+:¥4.141+:¥9.0299
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100+:¥6.32
250+:¥5.51
500+:¥5.51
1000+:¥5.04
3000+:¥4.51991+:¥5.49
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SI6467BDQ-T1-E3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 12V 8A 1.5W3000+:¥4.14
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SI6467BDQ-T1-E3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 12V 6.8A 8-TSSOPObsolete
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SI6467BDQ-T1-E3Vishay IntertechnologiesSingle P-Channel 12 V 12.5 mOhms Surface Mount Power Mosfet - TSSOP-8
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250+:¥5.51
500+:¥5.51
1000+:¥5.04
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