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SI6562DQ-T1-E3 /Vishay Siliconix/分立半导体产品
SI6562DQ-T1-E3的规格信息
SI6562DQ-T1-E3的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

标准包装：1

类别：分立半导体产品

家庭：FET - 阵列

系列：TrenchFET®

包装：剪切带（CT）

FET 类型：N 和 P 沟道

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压（Vdss）：20V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：-

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：30 毫欧 @ 4.5A，4.5V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：600mV @ 250µA（最小）

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：25nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：-

功率 - 最大值：1W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）

供应商器件封装：8-TSSOP

其它名称：SI6562DQ-T1-E3CT

供应商SI6562DQ-T1-E3
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18923762408 “13538131418”		张小姐Email:szkesiqi@163.com询价
深圳市坤融电子有限公司SI6562DQ-T1-E3航都大厦10I0755-23990975
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SI6562DQ-T1-E3MOSFET N/P-CH 20V 8-TSSOPVishay SiliconixVishay Siliconix的LOGO120.28 Kbytes共7页SI6562DQ-T1-E3的PDF下载地址无
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Digi-Key 得捷电子		SI6562DQ-T1-E3Vishay SiliconixMOSFET N/P-CH 20V 8-TSSOPObsolete
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Digi-Key 得捷电子		SI6562DQ-T1-E3VishayFET - 阵列 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 20V 4.5/3.5A1+:￥10.6901
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10+:￥9.44
25+:￥8.5201
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