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SI6866DQ-T1 /
SI6866DQ-T1的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

产品种类MOSFET

晶体管极性N-Channel

汲极/源极击穿电压20 V

闸/源击穿电压+/- 12 V

漏极连续电流5.8 A

电阻汲极/源极 RDS(导通)30 mOhms

配置Dual

最大工作温度+ 150 C

安装风格SMD/SMT

封装 / 箱体TSSOP-8

封装Reel

下降时间37 ns

最小工作温度- 55 C

功率耗散1.2 W

上升时间37 ns

工厂包装数量3000

典型关闭延迟时间41 ns

供应商SI6866DQ-T1
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深圳市芯幂科技有限公司SI6866DQ-T1深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦2405+86-13267088774(微信同号)李昊skype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:lihao@xinmisc.com询价
集好芯城SI6866DQ-T1深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-23903180
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杨先生Email:sam@678ic.com询价
深圳市坤融电子有限公司SI6866DQ-T1航都大厦10I0755-23990975
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SI6866DQ-T1Dual N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET VAISH[Vaishali Semiconductor]VAISH[Vaishali Semiconductor]的LOGO91.45 Kbytes共5页SI6866DQ-T1的PDF下载地址SI4966DY,SI5904DC,SI6866BDQ,SI6925ADQ,SI6946DQ,SI6925DQ,SI9926ADY,SI6968BEDQ,SI6926ADQ,72413
SI6866DQ-T1-E3Dual N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET VAISH[Vaishali Semiconductor]VAISH[Vaishali Semiconductor]的LOGO91.45 Kbytes共5页SI6866DQ-T1-E3的PDF下载地址SI4966DY,SI5904DC,SI6866BDQ,SI6925ADQ,SI6946DQ,SI6925DQ,SI9926ADY,SI6968BEDQ,SI6926ADQ,72413
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SI6866DQ-T1Vishay Siliconix 5000 mA, 20 V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET2,253 : $1.1655
1,387 : $1.332
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