产品种类：MOSFET

晶体管极性：P-Channel

汲极/源极击穿电压：30 V

闸/源击穿电压：+/- 20 V

漏极连续电流：6.3 A

导通电阻：15 mOhms

配置：Single

最大工作温度：+ 150 C

安装风格：SMD/SMT

封装 / 箱体：TSSOP-8

封装：Reel

商标：Vishay / Siliconix

最小工作温度：- 55 C

功率耗散：1.08 W

系列：SI6441DQ

工厂包装数量：3000

零件号别名：SI6441DQ-GE3

ROHS： 含铅