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SI6435DQ / MOSFET 30V/25V PCh MOSFET
SI6435DQ的规格信息
SI6435DQ的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Fairchild Semiconductor

产品种类:MOSFET

RoHS:

Id-连续漏极电流:- 4.5 A

Vds-漏源极击穿电压:- 30 V

Rds On-漏源导通电阻:27 mOhms

晶体管极性:P-Channel

Vgs-栅源极击穿电压 :20 V

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:1.3 W

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TSSOP-8

封装:Reel

商标:Fairchild Semiconductor

通道模式:Enhancement

配置:Single Triple Drain Quad Source

下降时间:14 ns

最小工作温度:- 55 C

上升时间:14 ns

系列:SI6435

工厂包装数量:2500

典型关闭延迟时间:29 ns

典型接通延迟时间:9 ns

单位重量:20 mg

供应商SI6435DQ
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SI6435DQ30V P-Channel PowerTrench MOSFET FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]的LOGO110.02 Kbytes共5页SI6435DQ的PDF下载地址FDC6432SH,SI4435DY,FDS4935A,FDS9400A,SI6415DQ,FDS9953A,FDS4935,FDT458P,SI6933DQ,FDW256P
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