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SI4980DY-T1-E3 /
SI4980DY-T1-E3的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

产品种类MOSFET

晶体管极性N-Channel

汲极/源极击穿电压80 V

闸/源击穿电压+/- 20 V

漏极连续电流3.7 A

电阻汲极/源极 RDS(导通)75 mOhms

配置Dual Dual Drain

最大工作温度+ 150 C

安装风格SMD/SMT

封装 / 箱体SOIC-8 Narrow

封装Reel

下降时间10 ns

最小工作温度- 55 C

功率耗散2000 mW

上升时间10 ns

工厂包装数量2500

典型关闭延迟时间30 ns

零件号别名SI4980DY-E3

供应商SI4980DY-T1-E3
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现代芯城(深圳)科技有限公司SI4980DY-T1-E3www.nowchip.com0755-27381274
18098996457
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深圳市芯幂科技有限公司SI4980DY-T1-E3深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
深圳市坤融电子有限公司SI4980DY-T1-E3航都大厦10I0755-23990975
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深圳市浩睿泽电子科技有限公司SI4980DY-T1-E3深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋2003F1919854773352
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SI4980DY-T1-E3MOSFET; Dual; N-Channel; 80V; 3.7A; 2W; SO-8Siliconix / VishaySiliconix / Vishay的LOGO63.72 Kbytes共5页SI4980DY-T1-E3的PDF下载地址
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