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SI4900DY-T1-GE3 /
SI4900DY-T1-GE3的规格信息
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图像仅供参考，请参阅规格书

系列：TrenchFET®

FET类型：2 个 N 沟道（双）

FET功能：逻辑电平门

电流-连续漏极（Id）（25°C时）：5.3A

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：58 毫欧 @ 4.3A，10V

不同Id时的Vgs（th）（最大值）：3V @ 250µA

不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：20nC @ 10V

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：665pF @ 15V

功率-最大值：3.1W

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-SO

封装形式Package：SOIC-8

极性Polarity：Dual N

漏源极击穿电压VDSS：60V

连续漏极电流ID：4.3A

漏源极导通电阻RDS(ON)：58mOhms

无铅情况/RoHs：否

供应商SI4900DY-T1-GE3
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深圳市瑞浩芯科技有限公司SI4900DY-T1-GE3深圳市福田区上步工业区501栋11030755-84875764
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Arrow(艾睿)		SI4900DY-T1-GE3VishayFET - 阵列 TrenchFET® 分立半导体产品2500+:￥3.661+:￥7.25
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