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SI4866DY-T1-GE3 /Vishay Siliconix/分立半导体产品
SI4866DY-T1-GE3的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

标准包装:2,500

类别:分立半导体产品

家庭:FET - 单

系列:TrenchFET®

包装:带卷(TR)

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物

FET 功能:逻辑电平门

漏源极电压(Vdss):12V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):11A(Ta)

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):5.5 毫欧 @ 17A,4.5V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):600mV @ 250µA(最小)

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):30nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss):-

功率 - 最大值:1.6W

安装类型:表面贴装

封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

供应商器件封装:8-SO

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SI4866DY-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品2500+:¥6.971+:¥12.75
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