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SI4890BDY-T1 /连续漏极电流（Id）（25°C 时）：12A(Tc) 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：12mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：4.1W(Tc) 类型：N沟道
SI4890BDY-T1的规格信息
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商品类型MOS(场效应管)

漏源电压（Vdss）20V

连续漏极电流（Id）（25°C 时）12A(Tc)

栅源极阈值电压3V @ 250uA

漏源导通电阻12mΩ @ 10A,10V

最大功率耗散（Ta=25°C）4.1W(Tc)

类型N沟道

供应商SI4890BDY-T1
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现代芯城（深圳）科技有限公司Si4890BDY-T1-GE3www.nowchip.com0755-27381274
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深圳市芯幂科技有限公司SI4890BDY-T1-E3深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
深圳市微碧半导体有限公司SI4890BDY-T1-E3-VB深圳市福田区华强北街道荔村社区振兴路120号赛 格科技园4栋东5层5020755-83204141
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深圳市坤融电子有限公司SI4890BDY-T1-E3航都大厦10I0755-23990975
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13332931905		小柯Email:2851989182@qq.com询价
深圳市科思奇电子科技有限公司SI4890BDY-T1上步工业区501栋1109-11100755-83245050
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深圳市百域芯科技有限公司SI4890BDY-T1-E3世纪汇都会轩45070755-82788062
18126442734		梁小姐Email:dandan@bychip.cn询价
深圳市宇浩扬科技有限公司SI4890BDY-T1-E3深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
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13480875861		雷小姐，微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话Email:2053086415@qq.com询价
深圳市毅创腾电子科技有限公司SI4890BDY-T1-GE3深圳市福田区华强北路现代之窗大厦B座18I室0755-83616256 / 83210909
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万三科技（深圳）有限公司SI4890BDY-T1深圳市龙华区民治街道新牛社区金地梅陇镇9栋4单元14C0755-21006672
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深圳诚思涵科技有限公司SI4890BDY-T1-E3深圳市福田区华强北路上步工业区101栋518室0755-23947236/83015506
15302723671/15820783671		曾小姐Email:2748708193@qq.com询价
深圳市芯奕科技有限公司SI4890BDY-T1-GE3深圳市福田区华强北深纺大厦C座2楼K315818509871王志Email:741244823@qq.com询价
深圳市宸远科技有限公司Si4890BDY-T1-E3深圳市福田区华强北街道中航北苑B座9B40755-23481624
19068068798，15338712396		彭先生，许娜Email:3004325620@qq.com询价
深圳市瑞浩芯科技有限公司SI4890BDY-T1-GE3深圳市福田区上步工业区501栋11030755-84875764
”13725596657“17503034873		曾先生Email:1153689911@qq.com询价
深圳市莱杰信科技有限公司SI4890BDY-T1-GE3深圳市福田区华强北上步工业区102栋西座619/香港新界中环工業大廈112-115號0755-28183929
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SI4890BDY-T1及相关型号的PDF资料
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SI4890BDY-T1连续漏极电流（Id）（25°C 时）：12A(Tc) 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：12mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：4.1W(Tc) 类型：N沟道VBsemi(台湾微碧)VBsemi(台湾微碧)的LOGO866.14 Kbytes共9页SI4890BDY-T1的PDF下载地址无
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SI4890BDY-T1的全球分销商及价格
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Arrow(艾睿)		SI4890BDY-T1-E3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品2500+:￥3.871+:￥7.65
10+:￥6.15
100+:￥4.74
500+:￥4.1799
1000+:￥4.09
2500+:￥3.91
5000+:￥3.76
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Arrow(艾睿)		SI4890BDY-T1-GE3Vishay半导体 MOSFET 30V 16A 5.7W 12mohm @ 10V FET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品2500+:￥3.871+:￥7.65
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1000+:￥4.09
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Digi-Key 得捷电子		SI4890BDY-T1-E3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品2500+:￥3.87
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Digi-Key 得捷电子		SI4890BDY-T1-E3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 30V 16A 8SOObsolete
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Digi-Key 得捷电子		SI4890BDY-T1-GE3Vishay半导体 MOSFET 30V 16A 5.7W 12mohm @ 10V FET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品2500+:￥3.87
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Mouser 贸泽电子		SI4890BDY-T1-E3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品2500+:￥3.871+:￥7.65
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Mouser 贸泽电子		SI4890BDY-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 30V 16A 5.7W 12mohm @ 10V1:¥10.1474
10:¥8.3733
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元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子		SI4890BDY-T1-GE3Vishay半导体 MOSFET 30V 16A 5.7W 12mohm @ 10V FET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品2500+:￥3.871+:￥7.65
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立创商城		SI4890BDY-T1VBsemi(台湾微碧)连续漏极电流（Id）（25°C 时）：12A(Tc) 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：12mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：4.1W(Tc) 类型：N沟道1+:￥1.053
10+:￥0.7781
30+:￥0.7276
100+:￥0.60939
500+:￥0.58923
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SI4890BDY-T1的相关型号
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