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SI4894BDY-T1-GE3 /Vishay Siliconix/分立半导体产品
SI4894BDY-T1-GE3的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

标准包装:2,500

类别:分立半导体产品

家庭:FET - 单

系列:TrenchFET®

包装:带卷(TR)

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物

FET 功能:逻辑电平门

漏源极电压(Vdss):30V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):8.9A(Ta)

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):11 毫欧 @ 12A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):38nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1580pF @ 15V

功率 - 最大值:1.4W

安装类型:表面贴装

封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

供应商器件封装:8-SO

其它名称:SI4894BDY-T1-GE3TRSI4894BDYT1GE3

供应商SI4894BDY-T1-GE3
SI4894BDY-T1-GE3的供应商,可免费索样
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现代芯城(深圳)科技有限公司Si4894BDY-T1-GE3www.nowchip.com0755-27381274
18098996457
董先生Email:arthur@nowchip.com询价
深圳市芯幂科技有限公司SI4894BDY-T1-GE3深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
深圳市坤融电子有限公司SI4894BDY-T1-GE3航都大厦10I0755-23990975
17318082080,13510287235
肖瑶,树平Email:hzk@krchips.com询价
深圳市鑫晟源电子科技有限公司SI4894BDY-T1-GE3深圳市福田区华强北街道华航社区华富路1006号航都大厦19层C实-单-专-线V+18938047708
18938047708/18938048779
林炜东,林俊源Email:3004003952@qq.com询价
上海三崧电子有限公司SI4894BDY-T1-GE3上海市嘉定区曹安路4671号协通科技大厦7层13818988389
17621743344
樊勉Email:420014373@qq.com询价
深圳市天卓伟业电子有限公司SI4894BDY-T1-GE3深圳市福田区华强北路1019号A座13楼0755-82573552
17302670049
陈敏Email:3004201508@qq.com询价
芯莱德电子(香港)有限公司SI4894BDY-T1-GE3深圳市福田区航都大厦10L13352985419
13352985419,19076157484
杨先生Email:2881915365@qq.com询价
深圳市高捷芯城科技有限公司SI4894BDY-T1-GE3深圳市福田区航都大厦10B13352985419
13352985419
木易Email:2881915365@qq.com询价
深圳市斌腾达科技有限公司SI4894BDY-T1-GE3深圳市福田区华强北上步工业区501栋5180755-82815082
13049883113
赵小姐Email:zhujunbin163@163.com询价
深圳市星宇佳科技有限公司SI4894BDY-T1-GE3深圳市福田区华强北街道华航社区华富路1004号南光大厦5100755-82717977-603
13332931905
谢先生Email:2851989182@qq.com询价
深圳市科思奇电子科技有限公司SI4894BDY-T1-GE3上步工业区501栋1109-11100755-83245050
18923762408 “13538131418”
张小姐Email:szkesiqi@163.com询价
集好芯城SI4894BDY-T1-GE3深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-23903180
13360063783
杨先生Email:sam@678ic.com询价
深圳市辉华拓展电子有限公司SI4894BDY-T1-GE3深圳市福田区汉国中心55楼0755-82790891
18126117392
陈玲玲skype:sam@678IC.COMEmail:sam@678ic.com询价
深圳市百域芯科技有限公司SI4894BDY-T1-GE3世纪汇都会轩45070755-82788062
18126442734
梁小姐Email:dandan@bychip.cn询价
集好芯城SI4894BDY-T1-GE3深圳市福田区航都大厦25F4008626627
13360071553
陈泽辉Email:sam@678ic.com询价
深圳市浩睿泽电子科技有限公司SI4894BDY-T1-GE3深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋2003F1919854773352
19854773352
罗先生Email:250652363@qq.com询价
深圳市宇浩扬科技有限公司SI4894BDY-T1-GE3深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
13826514222
余先生,张先生Email:grady4222@126.com询价
深圳市赛美科科技有限公司SI4894BDY-T1-GE3广东省深圳市福田区华强北上步工业区101栋5楼A5950755-28309323
13480875861
雷小姐,微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话Email:2053086415@qq.com询价
深圳市芯泽盛世科技有限公司SI4894BDY-T1-GE3龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋18220755-89697985
18822854608
李先生Email:2119980731@qq.com询价
深圳市毅创腾电子科技有限公司SI4894BDY-T1-GE3深圳市福田区华强北路现代之窗大厦B座18I室0755-83616256 / 83210909
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SI4894BDY-T1-GE3MOSFET 30V 12A 2.5W 11mohm @ 10VVishay / SiliconixVishay / Siliconix的LOGO160.51 Kbytes共8页SI4894BDY-T1-GE3的PDF下载地址
SI4894BDY-T1-GE3MOSFET N-CH 30V 8.9A 8SOVishay SiliconixVishay Siliconix的LOGO157.51 Kbytes共8页SI4894BDY-T1-GE3的PDF下载地址
SI4894BDY-T1-GE3连续漏极电流(Id)(25°C 时):8.9A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:11mΩ @ 12A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.4W 类型:N沟道VISHAY(威世)VISHAY(威世)的LOGO159.20 Kbytes共8页SI4894BDY-T1-GE3的PDF下载地址
SI4894BDY-T1-GE3的全球分销商及价格
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Am2
SI4894BDY-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 30V 12A 2.5W 11mohm @ 10V1+:¥7.27
10+:¥6.4
25+:¥5.78
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250+:¥4.43
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1000+:¥3.361+:¥4.25
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Digi-Key 得捷电子
SI4894BDY-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 30V 12A 2.5W 11mohm @ 10V1+:¥7.27
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1000+:¥3.11
元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子
SI4894BDY-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 30V 8.9A 8SO$1.06000
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element14 e络盟电子
SI4894BDY-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 30V 12A 2.5W 11mohm @ 10V1+:¥7.27
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Mouser 贸泽电子
SI4894BDY-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 30V 12A 2.5W 11mohm @ 10V1+:¥7.27
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Mouser 贸泽电子
SI4894BDY-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 30V 12A 2.5W 11mohm @ 10V1:¥9.9892
10:¥8.2264
100:¥6.328
500:¥5.4353
2,500:¥4.0115
5,000:查看
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Verical
SI4894BDY-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 30V 12A 2.5W 11mohm @ 10V1+:¥7.27
10+:¥6.4
25+:¥5.78
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500+:¥3.93
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10+:¥5.99
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100+:¥4.74
250+:¥4.15
500+:¥3.68
1000+:¥3.361+:¥4.251+:¥1.63
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立创商城
SI4894BDY-T1-GE3VISHAY(威世)连续漏极电流(Id)(25°C 时):8.9A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:11mΩ @ 12A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.4W 类型:N沟道1+:¥14.9
10+:¥10.87
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100+:¥9.4
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1000+:¥8.91