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SI4896DY-T1 / MOSFET 80V 9.5A 3.1W
SI4896DY-T1的规格信息
SI4896DY-T1的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Vishay

产品种类:MOSFET

RoHS:

Id-连续漏极电流:9.5 A

Vds-漏源极击穿电压:80 V

Rds On-漏源导通电阻:16.5 mOhms

晶体管极性:N-Channel

Vgs-栅源极击穿电压 :20 V

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:3.1 W

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SO-8

封装:Reel

商标:Vishay / Siliconix

通道模式:Enhancement

配置:Single

下降时间:11 ns

最小工作温度:- 55 C

上升时间:11 ns

工厂包装数量:2500

商标名:TrenchFET

典型关闭延迟时间:40 ns

典型接通延迟时间:17 ns

供应商SI4896DY-T1
SI4896DY-T1的供应商,可免费索样
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现代芯城(深圳)科技有限公司SI4896DY-T1-GE3www.nowchip.com0755-27381274
18098996457
董先生Email:arthur@nowchip.com询价
深圳市芯幂科技有限公司SI4896DY-T1-E3深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
深圳市坤融电子有限公司SI4896DY-T1-E3航都大厦10I0755-23990975
17318082080,13510287235
肖瑶,树平Email:hzk@krchips.com询价
深圳市鑫晟源电子科技有限公司SI4896DY-T1-E3深圳市福田区华强北街道华航社区华富路1006号航都大厦19层C实-单-专-线V+18938047708
18938047708/18938048779
林炜东,林俊源Email:3004003952@qq.com询价
上海三崧电子有限公司SI4896DY-T1-E3上海市嘉定区曹安路4671号协通科技大厦7层13818988389
17621743344
樊勉Email:420014373@qq.com询价
深圳市天卓伟业电子有限公司SI4896DY-T1深圳市福田区华强北路1019号A座13楼0755-82573552
17302670049
陈敏Email:3004201508@qq.com询价
芯莱德电子(香港)有限公司SI4896DY-T1-E3深圳市福田区航都大厦10L13352985419
13352985419,19076157484
杨先生Email:2881915365@qq.com询价
深圳市高捷芯城科技有限公司SI4896DY-T1-E3深圳市福田区航都大厦10B13352985419
13352985419
木易Email:2881915365@qq.com询价
深圳市斌腾达科技有限公司SI4896DY-T1-E3深圳市福田区华强北上步工业区501栋5180755-82815082
13049883113
赵小姐Email:zhujunbin163@163.com询价
深圳市辰芯伟业科技有限公司Si4896DY-T1-GE3华强北路新华强广场B座27D0755-83238360
13603072128
Email:517368904@QQ.COM询价
深圳市星宇佳科技有限公司SI4896DY-T1-E3深圳市福田区华强北街道华航社区华富路1004号南光大厦5100755-82717977-603
13332931905
谢先生Email:2851989182@qq.com询价
深圳市星宇佳科技有限公司SI4896DY-T1-E3深圳市福田区华强北南光大厦5100755-82522195
13332931905
小柯Email:2851989182@qq.com询价
深圳市科思奇电子科技有限公司SI4896DY-T1-E3上步工业区501栋1109-11100755-83245050
18923762408 “13538131418”
张小姐Email:szkesiqi@163.com询价
集好芯城SI4896DY-T1深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-23903180
13360063783
杨先生Email:sam@678ic.com询价
深圳市辉华拓展电子有限公司SI4896DY-T1-E3深圳市福田区汉国中心55楼0755-82790891
18126117392
陈玲玲skype:sam@678IC.COMEmail:sam@678ic.com询价
深圳市百域芯科技有限公司SI4896DY-T1-E3世纪汇都会轩45070755-82788062
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梁小姐Email:dandan@bychip.cn询价
集好芯城SI4896DY-T1-E3深圳市福田区航都大厦25F4008626627
13360071553
陈泽辉Email:sam@678ic.com询价
深圳市浩睿泽电子科技有限公司SI4896DY-T1-E3深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋2003F1919854773352
19854773352
罗先生Email:250652363@qq.com询价
深圳市宇浩扬科技有限公司SI4896DY-T1-E3深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
13826514222
余先生,张先生Email:grady4222@126.com询价
深圳市赛美科科技有限公司SI4896DY-T1-E3广东省深圳市福田区华强北上步工业区101栋5楼A5950755-28309323
13480875861
雷小姐,微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话Email:2053086415@qq.com询价
SI4896DY-T1及相关型号的PDF资料
型号功能描述生产厂商厂商LOGOPDF大小PDF页数下载地址相关型号
SI4896DY-T1N-Channel 80-V (D-S) MOSFET VISHAY[Vishay Siliconix]VISHAY[Vishay Siliconix]的LOGO45.88 Kbytes共5页SI4896DY-T1的PDF下载地址SI4980DY,SI4480EY,SI7852DP,SUD40N08-16,SI1906DL,SI4404DY,SI4490DY,SUP75N03-04,SUD25N06-45L,SUD30N04-10
SI4896DY-T1-E3MOSFET 80V Vds 20V Vgs SO-8Vishay / SiliconixVishay / Siliconix的LOGO178.10 Kbytes共8页SI4896DY-T1-E3的PDF下载地址
SI4896DY-T1-E3MOSFET N-CH 80V 6.7A 8-SOICVishay SiliconixVishay Siliconix的LOGO175.44 Kbytes共8页SI4896DY-T1-E3的PDF下载地址
SI4896DY-T1-E3连续漏极电流(Id)(25°C 时):6.7A 漏源电压(Vdss):80V 栅源极阈值电压:2V @ 250uA(最小) 漏源导通电阻:16.5mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.56W 类型:N沟道VISHAY(威世)VISHAY(威世)的LOGO177.13 Kbytes共8页SI4896DY-T1-E3的PDF下载地址
SI4896DY-T1-GE3MOSFET 80V Vds 20V Vgs SO-8Vishay / SiliconixVishay / Siliconix的LOGO178.10 Kbytes共8页SI4896DY-T1-GE3的PDF下载地址
SI4896DY-T1-GE3MOSFET N-CH 80V 6.7A 8SOICVishay SiliconixVishay Siliconix的LOGO175.44 Kbytes共8页SI4896DY-T1-GE3的PDF下载地址
SI4896DY-T1的全球分销商及价格
销售商型号制造商功能描述价格
元器件资料网-Am2的LOGO
Am2
SI4896DY-T1-E3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 80V 9.5A 3.1W1+:¥12.29
10+:¥10.8401
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25000+:¥5.262500+:¥3.82011+:¥4.68
元器件资料网-Arrow(艾睿)的LOGO
Arrow(艾睿)
SI4896DY-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品1+:¥12.29
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元器件资料网-ChipOneStop的LOGO
ChipOneStop
SI4896DY-T1-E3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 80V 9.5A 3.1W1+:¥12.29
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元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子
SI4896DY-T1-E3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 80V 9.5A 3.1W1+:¥12.29
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元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子
SI4896DY-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品1+:¥12.29
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元器件资料网-Future Electronics的LOGO
Future Electronics
SI4896DY-T1Vishay IntertechnologiesN-Channel 80 V 0.0165 Ohm Surface Mount Power MosFet - SOIC-82,500 : $1.9
元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子
SI4896DY-T1-E3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 80V 9.5A 3.1W1+:¥12.29
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元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子
SI4896DY-T1-E3Vishay / SiliconixMOSFET 80V Vds 20V Vgs SO-81:¥14.3736
10:¥12.9837
2,500:¥12.9837
元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子
SI4896DY-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 80V Vds 20V Vgs SO-81:¥14.9047
10:¥12.3735
2,500:¥12.3735
元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子
SI4896DY-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品1+:¥12.29
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25000+:¥5.26
元器件资料网-Verical的LOGO
Verical
SI4896DY-T1-E3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 80V 9.5A 3.1W1+:¥12.29
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5000+:¥5.51
10000+:¥5.3
25000+:¥5.262500+:¥3.82011+:¥4.681+:¥4.0101
元器件资料网-立创商城的LOGO
立创商城
SI4896DY-T1-E3VISHAY(威世)连续漏极电流(Id)(25°C 时):6.7A 漏源电压(Vdss):80V 栅源极阈值电压:2V @ 250uA(最小) 漏源导通电阻:16.5mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.56W 类型:N沟道1+:¥7.551
10+:¥5.643
30+:¥5.292
100+:¥4.941
500+:¥4.788
1000+:¥4.707