系列：TrenchFET®

FET类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

电流-连续漏极（Id）（25°C时）：6.7A（Ta）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：6V，10V

不同Id时的Vgs（th）（最大值）：2V @ 250µA（最小）

不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：41nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

功率耗散（最大值）：1.56W（Ta）

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：16.5 毫欧 @ 10A，10V

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

封装形式Package：SOIC-8

极性Polarity：N-CH

漏源极击穿电压VDSS：80V

连续漏极电流ID：9.5A

漏源极导通电阻RDS(ON)：16.5mOhms

栅源极阀值电压VGS(th)：2V

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs