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SI4896DY-T1-E3 /Single N-Channel 80 V 0.0165 Ohms Surface Mount Power Mosfet - SOIC-8
SI4896DY-T1-E3的规格信息
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图像仅供参考，请参阅规格书

系列：TrenchFET®

FET类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

电流-连续漏极（Id）（25°C时）：6.7A（Ta）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：6V，10V

不同Id时的Vgs（th）（最大值）：2V @ 250µA（最小）

不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：41nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

功率耗散（最大值）：1.56W（Ta）

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：16.5 毫欧 @ 10A，10V

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

封装形式Package：SOIC-8

极性Polarity：N-CH

漏源极击穿电压VDSS：80V

连续漏极电流ID：9.5A

漏源极导通电阻RDS(ON)：16.5mOhms

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs

供应商SI4896DY-T1-E3
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深圳市坤融电子有限公司SI4896DY-T1-E3航都大厦10I0755-23990975
17318082080，13510287235		肖瑶，树平Email:hzk@krchips.com询价
深圳市芯幂科技有限公司SI4896DY-T1-E3深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
深圳市鑫晟源电子科技有限公司SI4896DY-T1-E3深圳市福田区华强北街道华航社区华富路1006号航都大厦19层C实-单-专-线V+18938047708
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上海三崧电子有限公司SI4896DY-T1-E3上海市嘉定区曹安路4671号协通科技大厦7层13818988389
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芯莱德电子（香港）有限公司SI4896DY-T1-E3深圳市福田区航都大厦10L13352985419
13352985419，19076157484		杨先生Email:2881915365@qq.com询价
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13049883113		赵小姐Email:zhujunbin163@163.com询价
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13332931905		谢先生Email:2851989182@qq.com询价
深圳市星宇佳科技有限公司SI4896DY-T1-E3深圳市福田区华强北南光大厦5100755-82522195
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13360063783		杨先生Email:sam@678ic.com询价
深圳市辉华拓展电子有限公司SI4896DY-T1-E3深圳市福田区汉国中心55楼0755-82790891
18126117392		陈玲玲skype:sam@678IC.COMEmail:sam@678ic.com询价
深圳市百域芯科技有限公司SI4896DY-T1-E3世纪汇都会轩45070755-82788062
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集好芯城SI4896DY-T1-E3深圳市福田区航都大厦25F4008626627
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深圳市浩睿泽电子科技有限公司SI4896DY-T1-E3深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋2003F1919854773352
19854773352		罗先生Email:250652363@qq.com询价
深圳市宇浩扬科技有限公司SI4896DY-T1-E3深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
13826514222		余先生，张先生Email:grady4222@126.com询价
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深圳市芯泽盛世科技有限公司SI4896DY-T1-E3龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋18220755-89697985
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深圳市毅创腾电子科技有限公司SI4896DY-T1-E3深圳市福田区华强北路现代之窗大厦B座18I室0755-83616256 / 83210909
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SI4896DY-T1-E3MOSFET 80V Vds 20V Vgs SO-8Vishay / SiliconixVishay / Siliconix的LOGO178.10 Kbytes共8页SI4896DY-T1-E3的PDF下载地址无
SI4896DY-T1-E3MOSFET N-CH 80V 6.7A 8-SOICVishay SiliconixVishay Siliconix的LOGO175.44 Kbytes共8页SI4896DY-T1-E3的PDF下载地址无
SI4896DY-T1-E3连续漏极电流（Id）（25°C 时）：6.7A 漏源电压（Vdss）：80V 栅源极阈值电压：2V @ 250uA(最小) 漏源导通电阻：16.5mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.56W 类型：N沟道VISHAY(威世)VISHAY(威世)的LOGO177.13 Kbytes共8页SI4896DY-T1-E3的PDF下载地址无
SI4896DY-T1-E3的全球分销商及价格
销售商型号制造商功能描述价格
元器件资料网-Am2的LOGO
Am2		SI4896DY-T1-E3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 80V 9.5A 3.1W1+:￥12.29
10+:￥10.8401
25+:￥9.79
100+:￥8.56
250+:￥7.51
500+:￥6.66
1000+:￥5.261+:￥10.1
10+:￥8.12
100+:￥6.49
500+:￥6.49
1000+:￥6.06
2500+:￥5.57
5000+:￥5.51
10000+:￥5.3
25000+:￥5.262500+:￥3.82011+:￥4.68
元器件资料网-ChipOneStop的LOGO
ChipOneStop		SI4896DY-T1-E3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 80V 9.5A 3.1W1+:￥12.29
10+:￥10.8401
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元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子		SI4896DY-T1-E3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 80V 9.5A 3.1W1+:￥12.29
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元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子		SI4896DY-T1-E3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 80V 9.5A 3.1W1+:￥12.29
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元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子		SI4896DY-T1-E3Vishay / SiliconixMOSFET 80V Vds 20V Vgs SO-81:¥14.3736
10:¥12.9837
2,500:¥12.9837
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Verical		SI4896DY-T1-E3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 80V 9.5A 3.1W1+:￥12.29
10+:￥10.8401
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1000+:￥5.261+:￥10.1
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5000+:￥5.51
10000+:￥5.3
25000+:￥5.262500+:￥3.82011+:￥4.681+:￥4.0101
元器件资料网-立创商城的LOGO
立创商城		SI4896DY-T1-E3VISHAY(威世)连续漏极电流（Id）（25°C 时）：6.7A 漏源电压（Vdss）：80V 栅源极阈值电压：2V @ 250uA(最小) 漏源导通电阻：16.5mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.56W 类型：N沟道1+:￥7.551
10+:￥5.643
30+:￥5.292
100+:￥4.941
500+:￥4.788
1000+:￥4.707
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