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SI4866DY-T1-E3 /Single N-Channel 12 V 0.0055 Ohm Surface Mount Power Mosfet - SOIC-8
SI4866DY-T1-E3的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

系列:TrenchFET®

FET类型:N 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

电流-连续漏极(Id)(25°C时):11A(Ta)

驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):2.5V,4.5V

不同Id时的Vgs(th)(最大值):600mV @ 250µA(最小)

不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值):30nC @ 4.5V

Vgs(最大值):±8V

功率耗散(最大值):1.6W(Ta)

不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值):5.5 毫欧 @ 17A,4.5V

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装

封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

封装形式Package:SOIC-8

极性Polarity:N-CH

漏源极击穿电压VDSS:12V

连续漏极电流ID:17A

漏源极导通电阻RDS(ON):5.5mOhms

无铅情况/RoHs:无铅/符合RoHs

供应商SI4866DY-T1-E3
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深圳市天卓伟业电子有限公司SI4866DY-T1-E3深圳市福田区华强北路1019号A座13楼0755-82573552
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芯莱德电子(香港)有限公司SI4866DY-T1-E3深圳市福田区航都大厦10L13352985419
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深圳市高捷芯城科技有限公司SI4866DY-T1-E3深圳市福田区航都大厦10B13352985419
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深圳市毅创腾电子科技有限公司SI4866DY-T1-E3深圳市福田区华强北路现代之窗大厦B座18I室0755-83616256 / 83210909
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深圳市惊羽科技有限公司SI4866DY-T1-E3深圳市福田区深南中路3037号南光捷佳大厦2031室实-单-专-线----135-7521-2775
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深圳市惊羽科技有限公司SI4866DY-T1-E3深圳市福田区深南中路3037号南光捷佳大厦2031室实-单-专-线----135-7521-2775
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SI4866DY-T1-E3MOSFET 12 Volt 11 Amp 3.0WVishay / SiliconixVishay / Siliconix的LOGO159.42 Kbytes共7页SI4866DY-T1-E3的PDF下载地址
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SI4866DY-T1-E3的全球分销商及价格
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Allied Electronics
SI4866DY-T1-E3Siliconix / VishayMOSFET; N-Channel REDUCED QG; Fast Switching+2500:$1.66
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SI4866DY-T1-E3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 12 Volt 11 Amp 3.0W1+:¥16.44
10+:¥14.8799
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Digi-Key 得捷电子
SI4866DY-T1-E3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 12V 11A 8SO$2.30000
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Digi-Key 得捷电子
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Mouser 贸泽电子
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Mouser 贸泽电子
SI4866DY-T1-E3Vishay / SiliconixMOSFET 12 Volt 11 Amp 3.0W1:¥16.9048
10:¥14.0572
100:¥10.9158
500:¥9.5259
1,000:¥7.91
2,500:¥7.91
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Verical
SI4866DY-T1-E3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 12 Volt 11 Amp 3.0W1+:¥16.44
10+:¥14.8799
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250+:¥10.64
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