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SI4848DY-T1 / MOSFET 150V 3.7A 3W
SI4848DY-T1的规格信息
SI4848DY-T1的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Vishay

产品种类:MOSFET

RoHS:

商标:Vishay / Siliconix

Id-连续漏极电流:3.7 A

Vds-漏源极击穿电压:150 V

Rds On-漏源导通电阻:85 mOhms

晶体管极性:N-Channel

Vgs-栅源极击穿电压 :20 V

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:1.5 W

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SO-8

封装:Reel

通道模式:Enhancement

配置:Single

下降时间:10 ns

最小工作温度:- 55 C

上升时间:10 ns

工厂包装数量:2500

商标名:TrenchFET

典型关闭延迟时间:24 ns

典型接通延迟时间:9 ns

供应商SI4848DY-T1
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现代芯城(深圳)科技有限公司SI4848DY-T1-E3www.nowchip.com0755-27381274
18098996457
董先生Email:arthur@nowchip.com询价
深圳市芯幂科技有限公司SI4848DY-T1-E3深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774
13267088774 (微信同号)
Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
深圳市成源运利电子科技有限公司SI4848DY-T1-E3深圳市福田区华强路东方时代广场A2705159-13992480
15913992480
林先生Email:244673889@qq.com询价
深圳市坤融电子有限公司SI4848DY-T1-E3航都大厦10I0755-23990975
13926529829,17318082080
肖瑶,树平Email:hzk@krchips.com询价
深圳和润天下电子科技有限公司SI4848DY-T1-E3深港合作区前湾一路1号A栋201室13378422395,19129491930蔡经理,张小姐Email:1139848500@qq.com询价
深圳市天卓伟业电子有限公司SI4848DY-T1深圳市福田区华强北路1019号A座13楼0755-82573552
17302670049
陈敏Email:3004201508@qq.com询价
芯莱德电子(香港)有限公司SI4848DY-T1-E3深圳市福田区航都大厦10L13352985419
13352985419,19076157484
杨先生Email:2881915365@qq.com询价
深圳市高捷芯城科技有限公司SI4848DY-T1深圳市福田区航都大厦10B13352985419
13352985419
木易Email:2881915365@qq.com询价
深圳市赛美科科技有限公司SI4848DY-T1-E3广东省深圳市福田区华强北上步工业区101栋5楼A5950755-28309323
13480875861
雷小姐,微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话Email:2053086415@qq.com询价
深圳市星宇佳科技有限公司SI4848DY-T1-E3深圳市福田区华强北南光大厦5100755-82522195
13332931905
小柯Email:2851989182@qq.com询价
深圳市毅创腾电子科技有限公司SI4848DY-T1-E3深圳市福田区华强北路现代之窗大厦B座18I室0755-83616256 / 83210909
13725570869
朱小姐Email:szyctdz@163.com询价
深圳市宇浩扬科技有限公司SI4848DY-T1-E3深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
13826514222
余先生,张先生Email:grady4222@126.com询价
集好芯城SI4848DY-T1深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-82564006
18188616613
郑小姐Email:sam@678ic.com询价
深圳市百域芯科技有限公司SI4848DY-T1-E3世纪汇都会轩45070755-82788062
18126442734
梁小姐Email:dandan@bychip.cn询价
集好芯城SI4848DY-T1-E3深圳市福田区航都大厦25F4008626627
13360071553
陈泽辉Email:sam@678ic.com询价
深圳市辉华拓展电子有限公司SI4848DY-T1-E3深圳市福田区汉国中心55楼0755-82790891
18126117392
陈晓玲skype:sam@678IC.COMEmail:sam@678ic.com询价
深圳市浩睿泽电子科技有限公司SI4848DY-T1-E3深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋2003F1919854773352
19854773352
罗先生Email:250652363@qq.com询价
深圳市芯泽盛世科技有限公司SI4848DY-T1-E3龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋18220755-89697985
18822854608
李先生Email:2119980731@qq.com询价
深圳市水星电子有限公司SI4848DY-T1-E3地址1:深圳市龙岗区平湖街道华利嘉电子市场B1C177/地址2:深圳市福田区华强北街道赛格广场6402B0755-89585609
13632880560
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深圳市亿鸿丰电子科技有限公司SI4848DY-T1-E3深圳市福田区华富路1046-1号华康大厦2栋2楼2100755-83230201
19147724283,19147721680
王小姐,刘先生Email:345720093@qq.com询价
SI4848DY-T1及相关型号的PDF资料
型号功能描述生产厂商厂商LOGOPDF大小PDF页数下载地址相关型号
SI4848DY-T1N-Channel 150-V (D-S) MOSFET VISHAY[Vishay Siliconix]VISHAY[Vishay Siliconix]的LOGO44.59 Kbytes共4页SI4848DY-T1的PDF下载地址SI4488DY,SUD25N15-52,SI7846DP,SI7898DP,SI7946DP,72425,SUP85N15-21,SI3440DV,SUP28N15-52,SUM23N15-73
SI4848DY-T1-E3N-Channel 150 V (D-S) MOSFET VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]的LOGO988.67 Kbytes共9页SI4848DY-T1-E3的PDF下载地址
SI4848DY-T1-E3&-100连续漏极电流(Id)(25°C 时):5.4A(Tc) 漏源电压(Vdss):150V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:90mΩ @ 5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):5.9W(Tc) 类型:N沟道VBsemi(台湾微碧)VBsemi(台湾微碧)的LOGO818.52 Kbytes共9页SI4848DY-T1-E3&-100的PDF下载地址
SI4848DY-T1-GE3MOSFET 150V Vds 20V Vgs SO-8Vishay / SiliconixVishay / Siliconix的LOGO176.47 Kbytes共7页SI4848DY-T1-GE3的PDF下载地址
SI4848DY-T1-GE3MOSFET N-CH 150V 2.7A 8-SOICVishay SiliconixVishay Siliconix的LOGO172.92 Kbytes共7页SI4848DY-T1-GE3的PDF下载地址
SI4848DY-T1-GE3VISHAY(威世)VISHAY(威世)的LOGO172.41 Kbytes共7页SI4848DY-T1-GE3的PDF下载地址
SI4848DY-T1的全球分销商及价格
销售商型号制造商功能描述价格
元器件资料网-Allied Electronics的LOGO
Allied Electronics
SI4848DY-T1-E3Siliconix / VishayMOSFET, Power,N-Ch,VDSS 150V,RDS(ON) 0.068Ohm,ID 2.7A,SO-8,PD 1.5W,VGS +/-20V+2500:$0.99
+125000:$0.98
元器件资料网-Am2的LOGO
Am2
SI4848DY-T1-E3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 150V 3.7A 3W2500+:¥3.9
5000+:¥3.71
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62500+:¥3.341+:¥9.5201
10+:¥7.59
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25000+:¥4.432500+:¥5.33012500+:¥2.761+:¥5.25
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ChipOneStop
SI4848DY-T1-E3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 150V 3.7A 3W2500+:¥3.9
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ChipOneStop
SI4848DY-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 150V 3.7A 3.0W 85mohm @ 10V2500+:¥3.9
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Digi-Key 得捷电子
SI4848DY-T1-E3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 150V 3.7A 3W2500+:¥3.9
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元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子
SI4848DY-T1-E3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 150V 2.7A 8SO$1.62000
元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子
SI4848DY-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 150V 3.7A 3.0W 85mohm @ 10V2500+:¥3.9
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Future(富昌)
SI4848DY-T1-E3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 150V 3.7A 3W2500+:¥3.9
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元器件资料网-Future(富昌)的LOGO
Future(富昌)
SI4848DY-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 150V 3.7A 3.0W 85mohm @ 10V2500+:¥3.9
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Mouser 贸泽电子
SI4848DY-T1-E3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 150V 3.7A 3W2500+:¥3.9
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元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子
SI4848DY-T1-E3Vishay / SiliconixMOSFET 150V Vds 20V Vgs SO-81:¥12.6786
10:¥10.4525
100:¥7.9891
500:¥6.8704
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元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子
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元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子
SI4848DY-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 150V 3.7A 3.0W 85mohm @ 10V2500+:¥3.9
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元器件资料网-Tti的LOGO
Tti
SI4848DY-T1-E3Vishay Intertechnologies2500+:¥3.9
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250+:¥5.42
500+:¥
元器件资料网-Verical的LOGO
Verical
SI4848DY-T1-E3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 150V 3.7A 3W2500+:¥3.9
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元器件资料网-立创商城的LOGO
立创商城
SI4848DY-T1VBsemi(台湾微碧)连续漏极电流(Id)(25°C 时):5.4A(Tc) 漏源电压(Vdss):150V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:90mΩ @ 5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):5.9W(Tc) 类型:N沟道1+:¥2.69
10+:¥1.98
30+:¥1.85
100+:¥1.73
500+:¥1.67
1000+:¥1.64
元器件资料网-立创商城的LOGO
立创商城
SI4848DY-T1-E3VISHAY(威世)连续漏极电流(Id)(25°C 时):2.7A 漏源电压(Vdss):150V 栅源极阈值电压:2V @ 250uA(最小) 漏源导通电阻:85mΩ @ 3.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.5W 类型:N沟道1+:¥5.84
10+:¥4.29
30+:¥4
100+:¥3.71
500+:¥3.59
1000+:¥3.52
元器件资料网-立创商城的LOGO
立创商城
SI4848DY-T1-E3&-100VBsemi(台湾微碧)连续漏极电流(Id)(25°C 时):5.4A(Tc) 漏源电压(Vdss):150V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:90mΩ @ 5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):5.9W(Tc) 类型:N沟道1+:¥3.23
10+:¥2.38
30+:¥2.23
100+:¥1.863
500+:¥1.8
1000+:¥1.773
元器件资料网-立创商城的LOGO
立创商城
SI4848DY-T1-GE3VISHAY(威世)MOS(场效应管)1+:¥3.9
10+:¥2.88
30+:¥2.7
100+:¥2.51
500+:¥2.43
1000+:¥2.38