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SI4850DY-T1 /连续漏极电流（Id）（25°C 时）：7.6A(Tc) 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：30mΩ @ 4.6A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：5W(Tc) 类型：N沟道
SI4850DY-T1的规格信息
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商品类型MOS(场效应管)

漏源电压（Vdss）60V

连续漏极电流（Id）（25°C 时）7.6A(Tc)

栅源极阈值电压2.5V @ 250uA

漏源导通电阻30mΩ @ 4.6A,10V

最大功率耗散（Ta=25°C）5W(Tc)

类型N沟道

供应商SI4850DY-T1
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现代芯城（深圳）科技有限公司SI4850DY-T1-E3www.nowchip.com0755-27381274
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