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SI4848DY-T1-E3 /Single N-Channel 150 V 0.085 Ohms Surface Mount Power Mosfet - SOIC-8
SI4848DY-T1-E3的规格信息
SI4848DY-T1-E3的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

系列:TrenchFET®

FET类型:N 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

电流-连续漏极(Id)(25°C时):2.7A(Ta)

驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):6V,10V

不同Id时的Vgs(th)(最大值):2V @ 250µA(最小)

不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值):21nC @ 10V

Vgs(最大值):±20V

功率耗散(最大值):1.5W(Ta)

不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值):85 毫欧 @ 3.5A,10V

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装

封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

封装形式Package:SOIC-8

极性Polarity:N-CH

漏源极击穿电压VDSS:150V

连续漏极电流ID:3.7A

漏源极导通电阻RDS(ON):85mOhms

无铅情况/RoHs:无铅/符合RoHs

供应商SI4848DY-T1-E3
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深圳市威雅利发展有限公司SI4848DY-T1-E3华强北路1019号华强广场A16楼18124047120
18124047120
韩雪Email:3004202884@qq.com询价
深圳市芯幂科技有限公司SI4848DY-T1-E3深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
现代芯城(深圳)科技有限公司SI4848DY-T1-E3www.nowchip.com0755-27381274
18098996457
董先生Email:arthur@nowchip.com询价
深圳市辉华拓展电子有限公司SI4848DY-T1-E3深圳市福田区汉国中心55楼0755-82790891
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集好芯城SI4848DY-T1-E3深圳市福田区航都大厦25F4008626627
13360071553
陈泽辉Email:sam@678ic.com询价
集好芯城SI4848DY-T1-E3深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-23903180
13360063783
杨先生Email:sam@678ic.com询价
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15913992480
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深圳市天卓伟业电子有限公司SI4848DY-T1-E3深圳市福田区华强北路1019号A座13楼0755-82573552
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深圳市百域芯科技有限公司SI4848DY-T1-E3世纪汇都会轩45070755-82788062
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梁小姐Email:dandan@bychip.cn询价
芯莱德电子(香港)有限公司SI4848DY-T1-E3深圳市福田区航都大厦10L13352985419
13352985419,19076157484
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深圳市宇浩扬科技有限公司SI4848DY-T1-E3深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
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雷小姐,微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话Email:2053086415@qq.com询价
深圳市水星电子有限公司SI4848DY-T1-E3地址1:深圳市龙岗区平湖街道华利嘉电子市场B1C177/地址2:深圳市福田区华强北街道赛格广场6402B0755-89585609
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深圳市大源实业科技有限公司SI4848DY-T1-E3深圳市龙岗区坂田街道山海商业广场C座7070755-84862070
15302619915,13762584085
李小姐Email:dysykj005@foxmail.com询价
深圳市亿鸿丰电子科技有限公司SI4848DY-T1-E3深圳市福田区华富路1046-1号华康大厦2栋2楼2100755-83230201
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王小姐,刘先生Email:345720093@qq.com询价
万三科技(深圳)有限公司SI4848DY-T1-E3深圳市龙华区民治街道新牛社区金地梅陇镇9栋4单元14C0755-21006672
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SI4848DY-T1-E3及相关型号的PDF资料
型号功能描述生产厂商厂商LOGOPDF大小PDF页数下载地址相关型号
SI4848DY-T1-E3N-Channel 150 V (D-S) MOSFET VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]的LOGO988.67 Kbytes共9页SI4848DY-T1-E3的PDF下载地址
SI4848DY-T1-E3&-100连续漏极电流(Id)(25°C 时):5.4A(Tc) 漏源电压(Vdss):150V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:90mΩ @ 5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):5.9W(Tc) 类型:N沟道VBsemi(台湾微碧)VBsemi(台湾微碧)的LOGO818.52 Kbytes共9页SI4848DY-T1-E3&-100的PDF下载地址
SI4848DY-T1-E3的全球分销商及价格
销售商型号制造商功能描述价格
元器件资料网-Allied Electronics的LOGO
Allied Electronics
SI4848DY-T1-E3Siliconix / VishayMOSFET, Power,N-Ch,VDSS 150V,RDS(ON) 0.068Ohm,ID 2.7A,SO-8,PD 1.5W,VGS +/-20V+2500:$0.99
+125000:$0.98
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Am2
SI4848DY-T1-E3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 150V 3.7A 3W2500+:¥3.9
5000+:¥3.71
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元器件资料网-ChipOneStop的LOGO
ChipOneStop
SI4848DY-T1-E3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 150V 3.7A 3W2500+:¥3.9
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元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子
SI4848DY-T1-E3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 150V 2.7A 8SO$1.62000
元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子
SI4848DY-T1-E3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 150V 3.7A 3W2500+:¥3.9
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25000+:¥3.46
62500+:¥3.34
元器件资料网-Future(富昌)的LOGO
Future(富昌)
SI4848DY-T1-E3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 150V 3.7A 3W2500+:¥3.9
5000+:¥3.71
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元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子
SI4848DY-T1-E3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 150V 3.7A 3W2500+:¥3.9
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元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子
SI4848DY-T1-E3Vishay / SiliconixMOSFET 150V Vds 20V Vgs SO-81:¥12.6786
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元器件资料网-Tti的LOGO
Tti
SI4848DY-T1-E3Vishay Intertechnologies2500+:¥3.9
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元器件资料网-Verical的LOGO
Verical
SI4848DY-T1-E3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 150V 3.7A 3W2500+:¥3.9
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元器件资料网-立创商城的LOGO
立创商城
SI4848DY-T1-E3VISHAY(威世)连续漏极电流(Id)(25°C 时):2.7A 漏源电压(Vdss):150V 栅源极阈值电压:2V @ 250uA(最小) 漏源导通电阻:85mΩ @ 3.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.5W 类型:N沟道1+:¥5.84
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立创商城
SI4848DY-T1-E3&-100VBsemi(台湾微碧)连续漏极电流(Id)(25°C 时):5.4A(Tc) 漏源电压(Vdss):150V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:90mΩ @ 5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):5.9W(Tc) 类型:N沟道1+:¥3.23
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30+:¥2.23
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