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SI4850BDY-T1-GE3 /MOSFET 60V Vds 20V Vgs SO-8
SI4850BDY-T1-GE3的规格信息
SI4850BDY-T1-GE3的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Vishay

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SO-8

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:60 V

Id-连续漏极电流:11.3 A

Rds On-漏源导通电阻:19.5 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:2.8 V

Vgs - 栅极-源极电压:2.8 V

Qg-栅极电荷:11.1 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:4.5 W

配置:Single

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

商标:Vishay / Siliconix

下降时间:10 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:21 ns

工厂包装数量:2500

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:10 ns

典型接通延迟时间:7 ns

供应商SI4850BDY-T1-GE3
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深圳市辉华拓展电子有限公司SI4850BDY-T1-GE3深圳市福田区汉国中心55楼0755-82790891
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集好芯城SI4850BDY-T1-GE3深圳市福田区航都大厦25F4008626627
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Digi-Key 得捷电子		SI4850BDY-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 60V 8.4A/11.3A 8SO$1.03000
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