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SI4840DY-T1 / MOSFET 40V 14A 3.1W
SI4840DY-T1的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Vishay

产品种类:MOSFET

RoHS:

Id-连续漏极电流:14 A

Vds-漏源极击穿电压:40 V

Rds On-漏源导通电阻:9 mOhms

晶体管极性:N-Channel

Vgs-栅源极击穿电压 :20 V

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:1.56 W

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOIC-Narrow-8

封装:Reel

商标:Vishay / Siliconix

通道模式:Enhancement

配置:Single

下降时间:10 ns

最小工作温度:- 55 C

上升时间:10 ns

工厂包装数量:2500

商标名:TrenchFET

典型关闭延迟时间:50 ns

典型接通延迟时间:15 ns

供应商SI4840DY-T1
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深圳市威雅利发展有限公司SI4840DY-T1华强北路1019号华强广场A16楼18124047120
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韩雪Email:3004202884@qq.com询价
深圳市芯幂科技有限公司SI4840DY-T1-E3深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
现代芯城(深圳)科技有限公司SI4840DY-T1-E3www.nowchip.com0755-27381274
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深圳市微碧半导体有限公司SI4840DY-T1-E3-VB深圳市福田区华强北街道荔村社区振兴路120号赛 格科技园4栋东5层5020755-83204141
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深圳市高捷芯城科技有限公司SI4840DY-T1深圳市福田区航都大厦10B13352985419
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深圳市宇浩扬科技有限公司SI4840DY-T1-E3深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
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深圳市星宇佳科技有限公司SI4840DY-T1 其他被动元件深圳市福田区华强北街道华航社区华富路1004号南光大厦5100755-82717977-603
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深圳市星宇佳科技有限公司SI4840DY-T1 其他被动元件深圳市福田区华强北南光大厦5100755-82522195
13332931905
小柯Email:2851989182@qq.com询价
深圳市瑞浩芯科技有限公司SI4840DY-T1深圳市福田区上步工业区501栋11030755-84875764
”13725596657“17503034873
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SI4840DY-T1N-Channel 40-V (D-S) MOSFET VISHAY[Vishay Siliconix]VISHAY[Vishay Siliconix]的LOGO43.18 Kbytes共4页SI4840DY-T1的PDF下载地址SUD25N04-25,SUD50N04-05L,SUM60N04-12LT,SI2318DS,SI7476DP,SUB85N04-03,SI4940DY,SUM60N04-05LT,SUD30N04-10,SUD40N04-10A
SI4840DY-T1-E3N-Channel 40-V (D-S) MOSFET VISHAY[Vishay Siliconix]VISHAY[Vishay Siliconix]的LOGO249.74 Kbytes共8页SI4840DY-T1-E3的PDF下载地址
SI4840DY-T1-E3N-Channel 40-V (D-S) MOSFET VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]的LOGO1035.28 Kbytes共9页SI4840DY-T1-E3的PDF下载地址
SI4840DY-T1-GE3MOSFET N-CH 40V 10A 8SOVishay SiliconixVishay Siliconix的LOGO102.96 Kbytes共5页SI4840DY-T1-GE3的PDF下载地址
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SI4840DY-T1-E3Vishay SiliconixMOSFET, Power; N-Ch; VDSS 40V; RDS(ON) 0.0075Ohm; ID 10A; SO-8; PD 1.56W; VGS +/-20V250 : $1.2
500 : $1.1143
1,000 : $1.0833
2,500 : $1.04
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Arrow(艾睿)
SI4840DY-T1-E3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品价格未公开
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SI4840DY-T1-E3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 40V 10A 8SOObsolete
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SI4840DY-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 40V 10A 8SOObsolete
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Quest Components
SI4840DY-T1Vishay Intertechnologies 10000 mA, 40 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET115 : $0.315
25 : $0.525
1 : $1.05
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Quest Components
SI4840DY-T1-E3Vishay Intertechnologies MOSFET Transistor, N-Channel, SO734 : $0.7875
341 : $0.819
1 : $2.52
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Quest Components
SI4840DY-T1-E3Unknown MOSFET Transistor, N-Channel, SO1,082 : $0.814
625 : $0.925
1 : $2.96
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立创商城
SI4840DY-T1-E3VBsemi(台湾微碧)连续漏极电流(Id)(25°C 时):12A(Tc) 漏源电压(Vdss):40V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:10mΩ @ 12.4A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):6W(Tc) 类型:N沟道1+:¥1.3234
10+:¥0.9705
30+:¥0.9057
100+:¥0.8409
500+:¥0.8121
1000+:¥0.7979