产品种类MOSFET

晶体管极性N-Channel

汲极/源极击穿电压80 V

闸/源击穿电压+/- 20 V

漏极连续电流7.6 A

电阻汲极/源极 RDS（导通）0.022 Ohms

配置Single Quad Drain Triple Source

最大工作温度+ 150 C

安装风格SMD/SMT

封装 / 箱体SOIC-8 Narrow

封装Reel

下降时间16 ns

正向跨导 gFS（最大值/最小值）28 S

最小工作温度- 55 C

功率耗散2.5 W

上升时间8 ns

工厂包装数量2500

典型关闭延迟时间34 ns