FET类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

电流-连续漏极（Id）（25°C时）：7.7A（Tc）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：8V，10V

不同Id时的Vgs（th）（最大值）：4.5V @ 250µA

不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：43nC @ 10V

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：1735pF @ 50V

Vgs（最大值）：±20V

功率耗散（最大值）：3.1W（Ta），5.9W（Tc）

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：45 毫欧 @ 5A，10V

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

封装形式Package：SOIC-8

极性Polarity：N-CH

漏源极击穿电压VDSS：150V

连续漏极电流ID：5.5A

漏源极导通电阻RDS(ON)：45mOhms

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs