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SI4465ADY-T1-GE3 /Vishay Siliconix/分立半导体产品
SI4465ADY-T1-GE3的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

标准包装:2,500

类别:分立半导体产品

家庭:FET - 单

系列:TrenchFET®

包装:带卷(TR)

FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物

FET 功能:标准

漏源极电压(Vdss):8V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):-

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):9 毫欧 @ 14A,4.5V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):85nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss):-

功率 - 最大值:3W

安装类型:表面贴装

封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

供应商器件封装:8-SO

其它名称:SI4465ADY-T1-GE3TRSI4465ADYT1GE3

供应商SI4465ADY-T1-GE3
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SI4465ADY-T1-GE3MOSFET 8.0V 13.7A 3.0W 9.0mohm @ 4.5VVishay / SiliconixVishay / Siliconix的LOGO692.10 Kbytes共9页SI4465ADY-T1-GE3的PDF下载地址
SI4465ADY-T1-GE3MOSFET P-CH 8V 8SOICVishay SiliconixVishay Siliconix的LOGO689.11 Kbytes共9页SI4465ADY-T1-GE3的PDF下载地址
SI4465ADY-T1-GE3连续漏极电流(Id)(25°C 时):13.7A 漏源电压(Vdss):-8V 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:9mΩ @ 14A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):3W 类型:P沟道VISHAY(威世)VISHAY(威世)的LOGO170.11 Kbytes共9页SI4465ADY-T1-GE3的PDF下载地址
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Digi-Key 得捷电子
SI4465ADY-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 8V 8SOIC$2.04000
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SI4465ADY-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 8.0V 13.7A 3.0W 9.0mohm @ 4.5V1:¥14.9838
10:¥12.4526
100:¥9.6841
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1,000:¥7.0286
2,500:¥7.0286
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SI4465ADY-T1-GE3VISHAY(威世)连续漏极电流(Id)(25°C 时):13.7A 漏源电压(Vdss):-8V 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:9mΩ @ 14A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):3W 类型:P沟道1+:¥16.24
10+:¥15.82
30+:¥15.55
100+:¥13.51