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Si4463CDY /连续漏极电流(Id)(25°C 时):13.5A(Tc) 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:11mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):5W(Tc) 类型:P沟道
Si4463CDY的规格信息
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商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)30V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)13.5A(Tc)

栅源极阈值电压2.5V @ 250uA

漏源导通电阻11mΩ @ 10A,10V

最大功率耗散(Ta=25°C)5W(Tc)

类型P沟道

供应商Si4463CDY
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现代芯城(深圳)科技有限公司SI4463CDY-T1-GE3www.nowchip.com0755-27381274
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深圳市斌腾达科技有限公司SI4463CDY-T1-GE3深圳市福田区华强北上步工业区501栋5180755-82815082
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Si4463CDY的全球分销商及价格
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Allied Electronics
SI4463CDY-T1-GE3Siliconix / Vishay20V 18.6A PCH+2500:$0.77
+5000:$0.73
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Mouser 贸泽电子
SI4463CDY-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET -20V Vds 12V Vgs SO-81:¥8.4524
10:¥7.5032
100:¥5.9664
500:¥4.6782
1,000:¥3.729
2,500:¥3.4578
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立创商城
Si4463CDYVBsemi(台湾微碧)连续漏极电流(Id)(25°C 时):13.5A(Tc) 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:11mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):5W(Tc) 类型:P沟道1+:¥1.5586
10+:¥1.1517
30+:¥1.077
100+:¥1.0023
500+:¥0.969
1000+:¥0.9526
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立创商城
SI4463CDY-T1-GE3VISHAY(威世)连续漏极电流(Id)(25°C 时):13.6A 漏源电压(Vdss):-20V 栅源极阈值电压:1.4V @ 250uA 漏源导通电阻:8mΩ @ 13A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2.7W 类型:P沟道1+:¥11.17
10+:¥8.23
30+:¥7.69
100+:¥7.15
500+:¥6.91
1000+:¥6.79