标准包装：2,500

类别：分立半导体产品

家庭：FET - 单

系列：TrenchFET®

包装：带卷（TR）

FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压（Vdss）：20V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：9.8A（Ta）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：11 毫欧 @ 13.7A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：1.4V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：56nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：-

功率 - 最大值：1.5W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

供应商器件封装：8-SO

其它名称：SI4463BDY-T1-GE3TRSI4463BDYT1GE3