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SI4463BDY-T1 /连续漏极电流(Id)(25°C 时):13A(Tc) 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1.2V @ 250uA 漏源导通电阻:18mΩ @ 5.6A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):19W(Tc) 类型:P沟道
SI4463BDY-T1的规格信息
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商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)20V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)13A(Tc)

栅源极阈值电压1.2V @ 250uA

漏源导通电阻18mΩ @ 5.6A,4.5V

最大功率耗散(Ta=25°C)19W(Tc)

类型P沟道

供应商SI4463BDY-T1
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现代芯城(深圳)科技有限公司Si4463BDY-T1-E3www.nowchip.com0755-27381274
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董先生Email:arthur@nowchip.com询价
深圳市芯幂科技有限公司SI4463BDY-T1-E3深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
深圳市微碧半导体有限公司SI4463BDY-T1-E3-VB深圳市福田区华强北街道荔村社区振兴路120号赛 格科技园4栋东5层5020755-83204141
18118747668
许小姐Email:Reeta@vbsemi.cn询价
深圳市坤融电子有限公司SI4463BDY-T1-E3航都大厦10I0755-23990975
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肖瑶,树平Email:hzk@krchips.com询价
深圳市天卓伟业电子有限公司SI4463BDY-T1深圳市福田区华强北路1019号A座13楼0755-82573552
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深圳市鑫晟源电子科技有限公司SI4463BDY-T1-E3深圳市福田区华强北街道华航社区华富路1006号航都大厦19层C实-单-专-线V+18938047708
18938047708/18938048779
林炜东,林俊源Email:3004003952@qq.com询价
深圳市星宇佳科技有限公司SI4463BDY-T1-E3深圳市福田区华强北街道华航社区华富路1004号南光大厦5100755-82717977-603
13332931905
谢先生Email:2851989182@qq.com询价
深圳市斌腾达科技有限公司SI4463BDY-T1-E3深圳市福田区华强北上步工业区501栋5180755-82815082
13049883113
赵小姐Email:zhujunbin163@163.com询价
集好芯城SI4463BDY-T1-E3深圳市福田区航都大厦25F4008626627
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陈泽辉Email:sam@678ic.com询价
集好芯城SI4463BDY-T1-E3深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-23903180
13360063783
杨先生Email:sam@678ic.com询价
深圳市辉华拓展电子有限公司SI4463BDY-T1-E3深圳市福田区汉国中心55楼0755-82790891
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陈玲玲skype:sam@678IC.COMEmail:sam@678ic.com询价
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深圳市百域芯科技有限公司SI4463BDY-T1-E3世纪汇都会轩45070755-82788062
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深圳市高捷芯城科技有限公司SI4463BDY-T1-E3深圳市福田区航都大厦10B13352985419
13352985419
木易Email:2881915365@qq.com询价
深圳诚思涵科技有限公司SI4463BDY-T1-E3深圳市福田区华强北路上步工业区101栋518室0755-23947236/83015506
15302723671/15820783671
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深圳市兴中芯科技有限公司SI4463BDY-T1-E3深圳市福田区华强北路1015号赛格科技园4栋中8A6513113670037
13113670037
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深圳市浩睿泽电子科技有限公司SI4463BDY-T1-E3深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋2003F1919854773352
19854773352
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芯莱德电子(香港)有限公司SI4463BDY-T1-E3深圳市福田区航都大厦10L13352985419
13352985419,19076157484
杨先生Email:2881915365@qq.com询价
深圳市赛美科科技有限公司SI4463BDY-T1-E3广东省深圳市福田区华强北上步工业区101栋5楼A5950755-28309323
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深圳市芯奕科技有限公司SI4463BDY-T1-E3深圳市福田区华强北深纺大厦C座2楼K315818509871王志Email:741244823@qq.com询价
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SI4463BDY-T1连续漏极电流(Id)(25°C 时):13A(Tc) 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1.2V @ 250uA 漏源导通电阻:18mΩ @ 5.6A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):19W(Tc) 类型:P沟道VBsemi(台湾微碧)VBsemi(台湾微碧)的LOGO886.33 Kbytes共9页SI4463BDY-T1的PDF下载地址
SI4463BDY-T1-E3P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET VISHAY[Vishay Siliconix]VISHAY[Vishay Siliconix]的LOGO69.54 Kbytes共5页SI4463BDY-T1-E3的PDF下载地址SI6433BDQ,SI5443DC,SI1039X,SI4493DY,SI5903DC,SI2301ADS,SI4562DY,SI1303DL,SI1903DL,SI6562DQ
SI4463BDY-T1-E3P-Channel 20-V (D-S) MOSFET VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]的LOGO1027.85 Kbytes共9页SI4463BDY-T1-E3的PDF下载地址
SI4463BDY-T1-GE3MOSFET 20V 13.7A 3.0W 11mohm @ 10VVishay / SiliconixVishay / Siliconix的LOGO164.69 Kbytes共8页SI4463BDY-T1-GE3的PDF下载地址
SI4463BDY-T1-GE3MOSFET P-CH 20V 9.8A 8SOVishay SiliconixVishay Siliconix的LOGO582.85 Kbytes共8页SI4463BDY-T1-GE3的PDF下载地址
SI4463BDY-T1的全球分销商及价格
销售商型号制造商功能描述价格
元器件资料网-Allied Electronics的LOGO
Allied Electronics
SI4463BDY-T1-E3Siliconix / VishayMOSFET; P-Channel; -20 V; + 12 V; 0.009Ohms @ -4.5 V; -13 A; 1.5 W @ degC+2500:$1.21
+125000:$1.19
元器件资料网-Avnet Express的LOGO
Avnet Express
SI4463BDY-T1-E3Vishay Semiconductors- Tape and Reel2,500 : $0.5838
元器件资料网-Avnet Express的LOGO
Avnet Express
SI4463BDY-T1-E3Vishay SiliconixTRANS MOSFET P-CH 20V 9.8A 8SOIC N - Tape and Reel2,500 : $0.6535
12,499 : $0.6422
24,999 : $0.6279
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Avnet Express
SI4463BDY-T1-E3Vishay SemiconductorsPCHAN 2.5-V MOSFET2,500 : $0.52
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Chip1Stop
SI4463BDY-T1-E3Vishay IntertechnologiesMOSFET
RoHS : Compliant
5 : $1.58
50 : $1.06
100 : $0.977
元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子
SI4463BDY-T1-E3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 20V 9.8A 8-SOIC5,000 : $0.50939
2,500 : $0.5362
元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子
SI4463BDY-T1-E3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 20V 9.8A 8SO$1.62000
元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子
SI4463BDY-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 20V 9.8A 8SO$1.62000
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element14 Asia-Pacific
SI4463BDY-T1-E3Vishay SiliconixMOSFET P SOIC
RoHS : Compliant
1 : $10.03
10 : $8.88
25 : $8.02
100 : $7.01
250 : $6.15
500 : $5.55
元器件资料网-Future Electronics的LOGO
Future Electronics
SI4463BDY-T1-E3Vishay IntertechnologiesSingle P-Channel 20 V 0.011 Ohms Surface Mount Power Mosfet - SOIC-8
RoHS : Compliant
750 : $0.6055
元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子
SI4463BDY-T1-E3Vishay / SiliconixMOSFET 20V 13.7A 0.011Ohm1:¥12.0684
10:¥9.9892
100:¥7.7631
500:¥6.8026
1,000:¥5.6387
2,500:¥5.6387
元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子
SI4463BDY-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 20V 13.7A 3.0W 11mohm @ 10V1:¥12.0684
10:¥9.9892
100:¥7.7631
500:¥6.8026
1,000:¥5.6387
2,500:¥5.6387
元器件资料网-Verical的LOGO
Verical
SI4463BDY-T1-E3Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET P-CH 20V 9.8A 8-Pin SOIC N T/R$0.6421
元器件资料网-立创商城的LOGO
立创商城
SI4463BDY-T1VBsemi(台湾微碧)连续漏极电流(Id)(25°C 时):13A(Tc) 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1.2V @ 250uA 漏源导通电阻:18mΩ @ 5.6A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):19W(Tc) 类型:P沟道1+:¥1.3522
10+:¥0.9992
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100+:¥0.8695
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1000+:¥0.8265
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立创商城
SI4463BDY-T1-E3VISHAY(威世)连续漏极电流(Id)(25°C 时):9.8A 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1.4V @ 250uA 漏源导通电阻:11mΩ @ 13.7A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.5W 类型:P沟道1+:¥12.08
10+:¥9.42
30+:¥9.25
100+:¥9.09