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SI4463BDY-T1-E3 /Single P-Channel 20 V 0.011 Ohms Surface Mount Power Mosfet - SOIC-8
SI4463BDY-T1-E3的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

系列:TrenchFET®

FET类型:P 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

电流-连续漏极(Id)(25°C时):9.8A(Ta)

驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):2.5V,10V

不同Id时的Vgs(th)(最大值):1.4V @ 250µA

不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值):56nC @ 4.5V

Vgs(最大值):±12V

功率耗散(最大值):1.5W(Ta)

不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值):11 毫欧 @ 13.7A,10V

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装

封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

封装形式Package:SOIC-8

极性Polarity:P-CH

漏源极击穿电压VDSS:20V

连续漏极电流ID:9.8A

漏源极导通电阻RDS(ON):11mOhms

无铅情况/RoHs:无铅/符合RoHs

供应商SI4463BDY-T1-E3
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现代芯城(深圳)科技有限公司Si4463BDY-T1-E3www.nowchip.com0755-27381274
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董先生Email:arthur@nowchip.com询价
深圳市芯幂科技有限公司SI4463BDY-T1-E3深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
深圳市微碧半导体有限公司SI4463BDY-T1-E3-VB深圳市福田区华强北街道荔村社区振兴路120号赛 格科技园4栋东5层5020755-83204141
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许小姐Email:Reeta@vbsemi.cn询价
深圳市坤融电子有限公司SI4463BDY-T1-E3航都大厦10I0755-23990975
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深圳市天卓伟业电子有限公司SI4463BDY-T1-E3深圳市福田区华强北路1019号A座13楼0755-82573552
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陈敏Email:3004201508@qq.com询价
深圳市鑫晟源电子科技有限公司SI4463BDY-T1-E3深圳市福田区华强北街道华航社区华富路1006号航都大厦19层C实-单-专-线V+18938047708
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深圳市星宇佳科技有限公司SI4463BDY-T1-E3深圳市福田区华强北街道华航社区华富路1004号南光大厦5100755-82717977-603
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深圳市斌腾达科技有限公司SI4463BDY-T1-E3深圳市福田区华强北上步工业区501栋5180755-82815082
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集好芯城SI4463BDY-T1-E3深圳市福田区航都大厦25F4008626627
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深圳市百域芯科技有限公司SI4463BDY-T1-E3世纪汇都会轩45070755-82788062
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梁小姐Email:dandan@bychip.cn询价
深圳市高捷芯城科技有限公司SI4463BDY-T1-E3深圳市福田区航都大厦10B13352985419
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深圳诚思涵科技有限公司SI4463BDY-T1-E3深圳市福田区华强北路上步工业区101栋518室0755-23947236/83015506
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曾小姐Email:2748708193@qq.com询价
深圳市兴中芯科技有限公司SI4463BDY-T1-E3深圳市福田区华强北路1015号赛格科技园4栋中8A6513113670037
13113670037
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深圳市浩睿泽电子科技有限公司SI4463BDY-T1-E3深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋2003F1919854773352
19854773352
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芯莱德电子(香港)有限公司SI4463BDY-T1-E3深圳市福田区航都大厦10L13352985419
13352985419,19076157484
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深圳市赛美科科技有限公司SI4463BDY-T1-E3广东省深圳市福田区华强北上步工业区101栋5楼A5950755-28309323
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雷小姐,微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话Email:2053086415@qq.com询价
深圳市芯奕科技有限公司SI4463BDY-T1-E3深圳市福田区华强北深纺大厦C座2楼K315818509871王志Email:741244823@qq.com询价
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SI4463BDY-T1-E3P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET VISHAY[Vishay Siliconix]VISHAY[Vishay Siliconix]的LOGO69.54 Kbytes共5页SI4463BDY-T1-E3的PDF下载地址SI6433BDQ,SI5443DC,SI1039X,SI4493DY,SI5903DC,SI2301ADS,SI4562DY,SI1303DL,SI1903DL,SI6562DQ
SI4463BDY-T1-E3P-Channel 20-V (D-S) MOSFET VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]的LOGO1027.85 Kbytes共9页SI4463BDY-T1-E3的PDF下载地址
SI4463BDY-T1-E3的全球分销商及价格
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Allied Electronics
SI4463BDY-T1-E3Siliconix / VishayMOSFET; P-Channel; -20 V; + 12 V; 0.009Ohms @ -4.5 V; -13 A; 1.5 W @ degC+2500:$1.21
+125000:$1.19
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SI4463BDY-T1-E3Vishay Semiconductors- Tape and Reel2,500 : $0.5838
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SI4463BDY-T1-E3Vishay SiliconixTRANS MOSFET P-CH 20V 9.8A 8SOIC N - Tape and Reel2,500 : $0.6535
12,499 : $0.6422
24,999 : $0.6279
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SI4463BDY-T1-E3Vishay SemiconductorsPCHAN 2.5-V MOSFET2,500 : $0.52
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SI4463BDY-T1-E3Vishay IntertechnologiesMOSFET
RoHS : Compliant
5 : $1.58
50 : $1.06
100 : $0.977
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Digi-Key 得捷电子
SI4463BDY-T1-E3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 20V 9.8A 8SO$1.62000
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Digi-Key 得捷电子
SI4463BDY-T1-E3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 20V 9.8A 8-SOIC5,000 : $0.50939
2,500 : $0.5362
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element14 Asia-Pacific
SI4463BDY-T1-E3Vishay SiliconixMOSFET P SOIC
RoHS : Compliant
1 : $10.03
10 : $8.88
25 : $8.02
100 : $7.01
250 : $6.15
500 : $5.55
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Future Electronics
SI4463BDY-T1-E3Vishay IntertechnologiesSingle P-Channel 20 V 0.011 Ohms Surface Mount Power Mosfet - SOIC-8
RoHS : Compliant
750 : $0.6055
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Mouser 贸泽电子
SI4463BDY-T1-E3Vishay / SiliconixMOSFET 20V 13.7A 0.011Ohm1:¥12.0684
10:¥9.9892
100:¥7.7631
500:¥6.8026
1,000:¥5.6387
2,500:¥5.6387
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Verical
SI4463BDY-T1-E3Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET P-CH 20V 9.8A 8-Pin SOIC N T/R$0.6421
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立创商城
SI4463BDY-T1-E3VISHAY(威世)连续漏极电流(Id)(25°C 时):9.8A 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1.4V @ 250uA 漏源导通电阻:11mΩ @ 13.7A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.5W 类型:P沟道1+:¥12.08
10+:¥9.42
30+:¥9.25
100+:¥9.09