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SI4463CDY-T1-GE3 /MOSFET -20V Vds 12V Vgs SO-8
SI4463CDY-T1-GE3的规格信息
SI4463CDY-T1-GE3的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Vishay

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SO-8

通道数量:1 Channel

晶体管极性:P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:20 V

Id-连续漏极电流:18.6 A

Rds On-漏源导通电阻:8 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:600 mV

Vgs - 栅极-源极电压:10 V

Qg-栅极电荷:108 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:5 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:TrenchFET

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:1.75 mm

长度:4.9 mm

系列:SI4

晶体管类型:1 P-Channel

宽度:3.9 mm

商标:Vishay / Siliconix

正向跨导 - 最小值:60 S

下降时间:11 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:10 ns

工厂包装数量:2500

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:70 ns

典型接通延迟时间:12 ns

单位重量:506.600 mg

供应商SI4463CDY-T1-GE3
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深圳市百域芯科技有限公司Si4463CDY-T1-GE3世纪汇都会轩45070755-82788062
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芯莱德电子（香港）有限公司SI4463CDY-T1-GE3深圳市福田区航都大厦10L13352985419
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SI4463CDY-T1-GE3P-Channel 30-V (D-S) MOSFET VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]的LOGO991.52 Kbytes共9页SI4463CDY-T1-GE3的PDF下载地址无
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Allied Electronics		SI4463CDY-T1-GE3Siliconix / Vishay20V 18.6A PCH+2500:$0.77
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Mouser 贸泽电子		SI4463CDY-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET -20V Vds 12V Vgs SO-81:¥8.4524
10:¥7.5032
100:¥5.9664
500:¥4.6782
1,000:¥3.729
2,500:¥3.4578
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立创商城		SI4463CDY-T1-GE3VISHAY(威世)连续漏极电流（Id）（25°C 时）：13.6A 漏源电压（Vdss）：-20V 栅源极阈值电压：1.4V @ 250uA 漏源导通电阻：8mΩ @ 13A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.7W 类型：P沟道1+:￥11.17
10+:￥8.23
30+:￥7.69
100+:￥7.15
500+:￥6.91
1000+:￥6.79
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