FET 类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：20V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：600mA（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.2V，4.5V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：950mV @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：0.7nC @ 4.5V

Vgs（最大值）：±8V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：21.3pF @ 10V

功率耗散（最大值）：360mW（Ta），2.7W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：620 毫欧 @ 600mA，4.5V

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

供应商器件封装：DFN1006B-3

封装/外壳：3-XFDFN

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs