FET 类型：P 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：410mA（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.5V，4.5V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：950mV @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：1.2nC @ 4.5V

Vgs（最大值）：±8V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：43.2pF @ 15V

功率耗散（最大值）：310mW（Ta）, 1.67W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：1.4 欧姆 @ 410mA，4.5V

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

供应商器件封装：DFN1006B-3

封装/外壳：3-XFDFN

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs