FET类型：P 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

电流-连续漏极（Id）（25°C时）：1A（Ta）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：1.5V，4.5V

不同Id时的Vgs（th）（最大值）：950mV @ 250µA

不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：1.4nC @ 4.5V

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：122pF @ 15V

Vgs（最大值）：±8V

功率耗散（最大值）：350mW（Ta）, 6.25W（Tc）

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：510 毫欧 @ 1A，4.5V

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

封装/外壳：3-XFDFN

封装形式Package：DFN-B

极性Polarity：P-CH

漏源极击穿电压VDSS：30V

连续漏极电流ID：1A

无铅情况/RoHs：否