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PMZB350UPE,315 /MOSFET 20 V, dual P-channel Trench MOSFET
PMZB350UPE,315的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Nexperia

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:DFN-1006B-3

通道数量:2 Channel

晶体管极性:P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:20 V

Id-连续漏极电流:1.4 A

Rds On-漏源导通电阻:940 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:450 mV

Vgs - 栅极-源极电压:8 V

Qg-栅极电荷:1.3 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:715 mW

配置:Dual

通道模式:Enhancement

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

晶体管类型:2 P-Channel

商标:Nexperia

正向跨导 - 最小值:1.4 S

下降时间:9 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:5 ns

工厂包装数量:10000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:26 ns

典型接通延迟时间:4 ns

单位重量:0.690 mg

供应商PMZB350UPE,315
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深圳市辉华拓展电子有限公司PMZB350UPE,315深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-83289799
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深圳市芯幂科技有限公司PMZB350UPE,315深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
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13352985419
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深圳市辉华拓展电子有限公司PMZB350UPE,315深圳市福田区汉国中心55楼0755-82790891
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PMZB350UPE,315MOSFET P-CH 20V 1A DFN1006B-3Nexperia USA Inc.Nexperia USA Inc.的LOGO695.86 Kbytes共14页PMZB350UPE,315的PDF下载地址
PMZB350UPE,315连续漏极电流(Id)(25°C 时):1A 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:950mV @ 250uA 漏源导通电阻:450mΩ @ 300mA,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):360mW 类型:P沟道Nexperia(安世)Nexperia(安世)的LOGO695.86 Kbytes共14页PMZB350UPE,315的PDF下载地址
PMZB350UPE,315的全球分销商及价格
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PMZB350UPE,315NXP SemiconductorsFET - 单 - 分立半导体产品10000+:¥0.75
30000+:¥0.7
50000+:¥0.6699
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Future(富昌)
PMZB350UPE,315NXP SemiconductorsFET - 单 - 分立半导体产品10000+:¥0.75
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Mouser 贸泽电子
PMZB350UPE,315NexperiaMOSFET 20 V, dual P-channel Trench MOSFET1:¥3.2318
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Mouser 贸泽电子
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PMZB350UPE,315Nexperia(安世)连续漏极电流(Id)(25°C 时):1A 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:950mV @ 250uA 漏源导通电阻:450mΩ @ 300mA,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):360mW 类型:P沟道1+:¥1.49
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