FET 类型：N 沟道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：600mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.2V，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：950mV @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：0.7nC
电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs：4.5V
Vgs（最大值）：±8V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：21.3pF
电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds：10V
功率耗散（最大值）：360mW（Ta）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：620 毫欧 @ 600mA，4.5V
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装
供应商器件封装：3-DFN1006B（0.6x1）
封装/外壳：3-XFDFN
无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs