FET类型:N 沟道
漏源电压(Vdss):20V
电流-连续漏极(Id)(25°C时):600mA(Tc)
不同Id时的Vgs(th)(最大值):950mV @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值):0.7nC @ 4.5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值):21.3pF @ 10V
FET功能:标准
功率耗散(最大值):2.7W(Tc)
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值):620 毫欧 @ 600mA,4.5V
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装
封装/外壳:SC-101,SOT-883
无铅情况/RoHs:无铅/符合RoHs