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PMZB290UNE,315 /MOSFET N-Chan 20V 1A 715mW
PMZB290UNE,315的规格信息
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制造商:Nexperia

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:DFN-1006B-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:20 V

Id-连续漏极电流:1 A

Rds On-漏源导通电阻:380 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:500 mV

Vgs - 栅极-源极电压:4.5 V

Qg-栅极电荷:0.45 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:715 mW

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

晶体管类型:1 N-Channel

商标:Nexperia

下降时间:31 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:4 ns

工厂包装数量:10000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:86 ns

典型接通延迟时间:6 ns

单位重量:0.700 mg

供应商PMZB290UNE,315
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PMZB290UNE,315连续漏极电流(Id)(25°C 时):1A 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:950mV @ 250uA 漏源导通电阻:380mΩ @ 500mA,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):360mW 类型:N沟道Nexperia(安世)Nexperia(安世)的LOGO1.53 Mbytes共15页PMZB290UNE,315的PDF下载地址
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PMZB290UNE,315NXP SemiconductorsFET - 单 - 分立半导体产品10000+:¥0.57
30000+:¥0.53
50000+:¥0.4801
100000+:¥0.47
250000+:¥0.461+:¥2.61
10+:¥1.85
100+:¥0.72
1000+:¥0.61
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10000+:¥0.5199
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50000+:¥0.5001
100000+:¥0.471+:¥0.61
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PMZB290UNE,315NXP USA Inc.MOSFET N-CH 20V 1A DFN1006B-3$0.04000
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Digi-Key 得捷电子
PMZB290UNE,315NXP SemiconductorsFET - 单 - 分立半导体产品10000+:¥0.57
30000+:¥0.53
50000+:¥0.4801
100000+:¥0.47
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Mouser 贸泽电子
PMZB290UNE,315NexperiaMOSFET N-Chan 20V 1A 715mW1:¥3.0736
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100:¥0.83733
1,000:¥0.63732
10,000:¥0.43053
20,000:查看
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Mouser 贸泽电子
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立创商城
PMZB290UNE,315Nexperia(安世)连续漏极电流(Id)(25°C 时):1A 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:950mV @ 250uA 漏源导通电阻:380mΩ @ 500mA,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):360mW 类型:N沟道10+:¥0.327007
100+:¥0.24639
300+:¥0.231583
1000+:¥0.216775
5000+:¥0.210195
10000+:¥0.206943