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PMZB290UNE2YL /MOSFET 20V N-Channel Trench MOSFET
PMZB290UNE2YL的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Nexperia

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:DFN-1006B-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:20 V

Id-连续漏极电流:1.2 A

Rds On-漏源导通电阻:320 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:450 mV

Vgs - 栅极-源极电压:4.5 V

Qg-栅极电荷:0.8 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:715 mW

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

晶体管类型:1 N-Channel

商标:Nexperia

正向跨导 - 最小值:1.9 S

下降时间:4 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:10 ns

工厂包装数量:10000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:11 ns

典型接通延迟时间:6 ns

单位重量:0.690 mg

供应商PMZB290UNE2YL
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