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PMZ290UNEYL /MOSFET 20V N-channel Trench MOSFET
PMZ290UNEYL的规格信息
PMZ290UNEYL的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Nexperia

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:DFN-1006-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:20 V

Id-连续漏极电流:1 A

Rds On-漏源导通电阻:380 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:950 mV

Vgs - 栅极-源极电压:8 V

Qg-栅极电荷:680 pC

Pd-功率耗散:2700 mW

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

晶体管类型:1 N-Channel

商标:Nexperia

正向跨导 - 最小值:1.6 S

下降时间:31 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:4 ns

工厂包装数量:10000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:172 ns

典型接通延迟时间:12 ns

单位重量:0.800 mg

供应商PMZ290UNEYL
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PMZ290UNEYLNXP Semiconductors10000+:¥0.51
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10+:¥1.63
100+:¥0.64
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PMZ290UNEYLNexperia USA Inc.EFFECT TRANSISTOR, 1.2A I(D), 20$0.02000
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PMZ290UNEYLNexperia(安世)MOS(场效应管)1+:¥0.933708
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