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PMZ370UNEYL /MOSFET 30V N-channel Trench MOSFET
PMZ370UNEYL的规格信息
PMZ370UNEYL的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Nexperia

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:DFN-1006-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:30 V

Id-连续漏极电流:900 mA

Rds On-漏源导通电阻:370 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:770 mV

Vgs - 栅极-源极电压:8 V

Qg-栅极电荷:770 pC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:360 mW

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:0.5 mm

长度:1.02 mm

产品:MOSFET

晶体管类型:1 N-Channel

类型:Trench MOSFET

宽度:0.62 mm

商标:Nexperia

正向跨导 - 最小值:1580 mS

下降时间:27 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:9 ns

工厂包装数量:10000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:54 ns

典型接通延迟时间:11 ns

单位重量:0.800 mg

供应商PMZ370UNEYL
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