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PMV45EN2R /MOSFET 30V N-channel Trench MOSFET
PMV45EN2R的规格信息
PMV45EN2R的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Nexperia

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOT-23-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:30 V

Id-连续漏极电流:5.1 A

Rds On-漏源导通电阻:42 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:1 V

Vgs - 栅极-源极电压:10 V

Qg-栅极电荷:3.6 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:1.115 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

晶体管类型:1 N-Channel Trench MOSFET

商标:Nexperia

下降时间:2 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:12 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:11 ns

典型接通延迟时间:3 ns

单位重量:8 mg

供应商PMV45EN2R
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现代芯城(深圳)科技有限公司PMV45EN2Rwww.nowchip.com0755-27381274
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深圳市芯幂科技有限公司PMV45EN2R深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
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PMV45EN2RMOSFET N-CH 30V 4.1A TO236ABNexperia USA Inc.Nexperia USA Inc.的LOGO882.34 Kbytes共15页PMV45EN2R的PDF下载地址
PMV45EN2R连续漏极电流(Id)(25°C 时):4.1A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2V @ 250uA 漏源导通电阻:42mΩ @ 4.1A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):510mW 类型:N沟道Nexperia(安世)Nexperia(安世)的LOGO882.34 Kbytes共15页PMV45EN2R的PDF下载地址
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PMV45EN2RNexperia USA Inc.MOSFET N-CH 30V 4.1A TO236AB$0.40000
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PMV45EN2RNexperiaMOSFET 30V N-channel Trench MOSFET1:¥3.2318
10:¥2.2713
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1,000:¥0.79891
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PMV45EN2RNexperia(安世)连续漏极电流(Id)(25°C 时):4.1A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2V @ 250uA 漏源导通电阻:42mΩ @ 4.1A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):510mW 类型:N沟道5+:¥0.520035
50+:¥0.389139
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500+:¥0.317181
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