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PMV45EN / MOSFET, N, SOT-23
PMV45EN的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

晶体管极性::N Channel

Continuous Drain Current Id::5.4A

Drain Source Voltage Vds::30V

On Resistance Rds(on)::35mohm

Rds(on) Test Voltage Vgs::10V

Threshold Voltage Vgs::1.5V

功耗::2W

Operating Temperature Min::-55°C

Operating Temperature Max::150°C

Transistor Case Style::SOT-23

No. of Pins::3

MSL::MSL 1 - Unlimited

SVHC::No SVHC (20-Jun-2013)

Current Id Max::5.4A

Current Temperature::25°C

Device Marking::PMV45EN

外部深度::2.5mm

External Length / Height::1.12mm

外宽::3.05mm

Full Power Rating Temperature::25°C

No. of Transistors::1

工作温度范围::-55°C to +150°C

Power Dissipation Ptot Max::2W

Pulse Current Idm::21.6A

胶带宽度::8mm

端接类型::SMD

Voltage Vds Typ::30V

Voltage Vgs Max::20V

Voltage Vgs Rds on Measurement::10V

Voltage Vgs th Max::2V

Weight (kg):0.000033

Tariff No.:85412100

供应商PMV45EN
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现代芯城(深圳)科技有限公司PMV45ENwww.nowchip.com0755-27381274
18098996457
董先生Email:arthur@nowchip.com询价
深圳市芯幂科技有限公司PMV45EN,215深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774
13267088774 (微信同号)
Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
深圳市琛凡科技有限公司PMV45EN2深圳市福田区华强电子世界一店2号楼四层24C15613922854643,13302437441马小姐Email:1045082228@qq.com询价
柒号芯城电子商务(深圳)有限公司PMV45EN,215深圳市福田区华强北路1019号华强广场D座23楼0755-83663056
18922805453,18929374037,18922803401
Email:seven@7-ic.com询价
深圳市毅创腾电子科技有限公司PMV45EN2R深圳市福田区华强北路现代之窗大厦B座18I室0755-83616256 / 83210909
13725570869
朱小姐Email:szyctdz@163.com询价
集好芯城PMV45EN,215深圳市福田区航都大厦25F4008626627
13360071553
陈泽辉Email:sam@678ic.com询价
集好芯城PMV45EN深圳市福田区航都大厦25F0755-82564006
18188616613
郑小姐Email:sam@678ic.com询价
深圳市赛美科科技有限公司PMV45EN广东省深圳市福田区华强北上步工业区101栋5楼A5950755-28309323
13480875861
雷小姐,微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话Email:2053086415@qq.com询价
芯莱德电子(香港)有限公司PMV45EN2R深圳市福田区航都大厦10L13352985419
13352985419,19076157484
杨先生Email:2881915365@qq.com询价
深圳市高捷芯城科技有限公司PMV45EN深圳市福田区航都大厦10B13352985419
13352985419
木易Email:2881915365@qq.com询价
深圳市仓实科技有限公司PMV45EN,215深圳市福田区福田街道17080955875李先生Email:service@cangshixc.com询价
深圳市辉华拓展电子有限公司PMV45EN,215深圳市福田区航都大厦25F0755-83289799
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深圳市宇浩扬科技有限公司PMV45EN,215深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
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余先生,张先生Email:grady4222@126.com询价
深圳市高捷半导体有限公司PMV45EN,215深圳市福田区航都大厦10层13380394549
13380394549
颜小姐Email:2881915365@qq.com询价
深圳市辉华拓展电子有限公司PMV45EN2R深圳市福田区航都大厦25F0755-82790891
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陈晓玲skype:sam@678IC.COMEmail:sam@678ic.com询价
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13926529829,17318082080
肖瑶,树平Email:hzk@krchips.com询价
深圳市百域芯科技有限公司PMV45EN2世纪汇都会轩45070755-82788062
18126442734
梁小姐Email:dandan@bychip.cn询价
深圳市浩睿泽电子科技有限公司PMV45EN2R深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋2003F1919854773352
19854773352
罗先生Email:250652363@qq.com询价
深圳市水星电子有限公司PMV45EN2R地址1:深圳市龙岗区平湖街道华利嘉电子市场B1C177/地址2:深圳市福田区华强北街道赛格广场6402B0755-89585609
13632880560
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深圳市骏创达科技有限公司PMV45EN2R深圳市龙岗区坂田街道星河WORLD 1期A座20楼20020755-23917105,0755-23964265
张先生,王小姐Email:2881479208@qq.com询价
PMV45EN及相关型号的PDF资料
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PMV45ENmTrenchMOSTM enhanced logic level FET PHILIPS[NXP Semiconductors]PHILIPS[NXP Semiconductors]的LOGO238.69 Kbytes共12页PMV45EN的PDF下载地址PMN45EN,PH8230E,PMV60EN,PMV117EN,MTD20N03HDL,BUK552-100A,BUK562-60A,BUK581-100A,BUK9614-30
PMV45ENN-channel TrenchMOS logic level FET Logic-level compatible Very fast switching TYSEMI[TY Semiconductor Co., Ltd]TYSEMI[TY Semiconductor Co., Ltd]的LOGO209.41 Kbytes共3页PMV45EN的PDF下载地址
PMV45ENN-channel TrenchMOS logic level FET ZPSEMI[ZP Semiconductor]ZPSEMI[ZP Semiconductor]的LOGO313.29 Kbytes共3页PMV45EN的PDF下载地址
PMV45EN,215MOSFET N-CH 30V 5.4A SOT-23NXP USA Inc.NXP USA Inc.的LOGO431.28 Kbytes共14页PMV45EN,215的PDF下载地址
PMV45EN230 V, N-channel Trench MOSFET NEXPERIA[Nexperia B.V. All rights reserved]NEXPERIA[Nexperia B.V. All rights reserved]的LOGO888.82 Kbytes共15页PMV45EN2的PDF下载地址
PMV45EN2_1530 V, N-channel Trench MOSFET PHILIPS[NXP Semiconductors]PHILIPS[NXP Semiconductors]的LOGO471.58 Kbytes共15页PMV45EN2_15的PDF下载地址
PMV45EN2215SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFETNXP USA Inc.NXP USA Inc.的LOGO882.34 Kbytes共15页PMV45EN2215的PDF下载地址
PMV45EN2RMOSFET 30V N-channel Trench MOSFETNexperiaNexperia的LOGO881.36 Kbytes共15页PMV45EN2R的PDF下载地址
PMV45EN2RMOSFET N-CH 30V 4.1A TO236ABNexperia USA Inc.Nexperia USA Inc.的LOGO882.34 Kbytes共15页PMV45EN2R的PDF下载地址
PMV45EN2R连续漏极电流(Id)(25°C 时):4.1A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2V @ 250uA 漏源导通电阻:42mΩ @ 4.1A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):510mW 类型:N沟道Nexperia(安世)Nexperia(安世)的LOGO882.34 Kbytes共15页PMV45EN2R的PDF下载地址
PMV45EN2R连续漏极电流(Id)(25°C 时):4.1A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2V @ 250uA 漏源导通电阻:42mΩ @ 4.1A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):510mW 类型:N沟道Nexperia(安世)Nexperia(安世)的LOGO882.34 Kbytes共15页PMV45EN2R的PDF下载地址
PMV45EN2VLMOSFET PMV45EN2/TO-236AB/REEL 11" Q3/NexperiaNexperia的LOGO881.36 Kbytes共15页PMV45EN2VL的PDF下载地址
PMV45EN2VLMOSFET N-CH 30V 5.1A TO236ABNexperia USA Inc.Nexperia USA Inc.的LOGO882.34 Kbytes共15页PMV45EN2VL的PDF下载地址
PMV45EN2VLNexperia(安世)Nexperia(安世)的LOGO882.34 Kbytes共15页PMV45EN2VL的PDF下载地址
PMV45EN的全球分销商及价格
销售商型号制造商功能描述价格
元器件资料网-Arrow(艾睿)的LOGO
Arrow(艾睿)
PMV45EN,215NXP SemiconductorsFET - 单 TrenchMOS?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-CH TRENCH 30V3000+:¥0.6501
9000+:¥0.65011+:¥1.42
元器件资料网-Chip One Exchange的LOGO
Chip One Exchange
PMV45EN价格未公开
元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子
PMV45EN,215NXP SemiconductorsFET - 单 TrenchMOS?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-CH TRENCH 30V3000+:¥0.6501
9000+:¥0.6501
元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子
PMV45EN2215NXP USA Inc.SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET$0.06000
元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子
PMV45EN2RNexperia USA Inc.MOSFET N-CH 30V 4.1A TO236AB$0.40000
元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子
PMV45EN2VLNexperia USA Inc.MOSFET N-CH 30V 5.1A TO236AB$0.07642
元器件资料网-element14 Asia-Pacific的LOGO
element14 Asia-Pacific
PMV45ENNXP SemiconductorsMOSFET N SOT-23
RoHS : Compliant
5 : $1.44
10 : $1.26
100 : $1.1
250 : $0.945
500 : $0.819
1,000 : $0.693
3,000 : $0.54
9,000 : $0.468
元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子
PMV45EN2RNexperiaMOSFET 30V N-channel Trench MOSFET1:¥3.2318
10:¥2.2713
100:¥1.03734
1,000:¥0.79891
3,000:¥0.68365
元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子
PMV45EN2VLNexperiaMOSFET PMV45EN2/TO-236AB/REEL 11" Q3/10,000:¥0.62263
20,000:¥0.58421
50,000:¥0.52206
100,000:¥0.49946
元器件资料网-Verical的LOGO
Verical
PMV45EN,215NXP SemiconductorsFET - 单 TrenchMOS?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-CH TRENCH 30V3000+:¥0.6501
9000+:¥0.65011+:¥1.4210+:¥2.32
25+:¥2.1799
100+:¥1.78
250+:¥1.64
500+:¥1.5001
1000+:¥1.1
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立创商城
PMV45EN2RNexperia(安世)连续漏极电流(Id)(25°C 时):4.1A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2V @ 250uA 漏源导通电阻:42mΩ @ 4.1A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):510mW 类型:N沟道5+:¥0.520035
50+:¥0.389139
150+:¥0.365097
500+:¥0.317181
2500+:¥0.307243
5000+:¥0.302334
元器件资料网-立创商城的LOGO
立创商城
PMV45EN2VLNexperia(安世)MOS(场效应管)1+:¥1.4466
200+:¥0.5598
500+:¥0.5402
1000+:¥0.5304